一种磁控忆感器模型的等效模拟电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710804773.9

申请日：

2017-09-08

公开(公告)号：

CN107526896A

公开(公告)日：

2017-12-29

发明(设计)人：

王光义张娜丘嵘

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

G06F1750

IPC分类号：

代理机构：

杭州奥创知识产权代理有限公司 33272

代理人：

王佳健

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G06F 17/50 申请公布日:20171229
2017-12-29	公开	公开
2018-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20170908

共 50 条

[1]

一种忆感器的等效模拟电路 [P].

王光义 ;

郑利京 ;

韩春艳 ;

马德明 .

中国专利 :CN108416102A ,2018-08-17

[2]

一种流控忆感器的等效模拟电路 [P].

王光义 ;

吴泽炎 ;

丘嵘 ;

周玮 .

中国专利 :CN107526897A ,2017-12-29

[3]

一种指数型忆感器电路 [P].

王光义 ;

靳培培 ;

王晋 .

中国专利 :CN205263816U ,2016-05-25

[4]

忆感器对数模型等效电路 [P].

王光义 ;

史传宝 ;

王晋 .

中国专利 :CN205318384U ,2016-06-15

[5]

一种忆感器对数模型等效电路 [P].

王光义 ;

史传宝 ;

王晋 .

中国专利 :CN105389443A ,2016-03-09

[6]

一种基于忆容器和忆感器的混沌振荡器的等效电路模型 [P].

王晓媛 ;

俞军 ;

张雪 ;

闵小涛 .

中国专利 :CN108833073B ,2018-11-16

[7]

实现忆感器特性的模拟电路 [P].

王光义 ;

靳培培 ;

王晋 .

中国专利 :CN205232190U ,2016-05-11

[8]

一种忆阻器等效模拟电路 [P].

王光义 ;

贺洁玲 ;

苏平 .

中国专利 :CN103219983A ,2013-07-24

[9]

一种实现忆感器特性的模拟电路 [P].

王光义 ;

靳培培 ;

王晋 .

中国专利 :CN105375914A ,2016-03-02

[10]

一种三值忆感器的电路模型 [P].

王晓媛 ;

周鹏飞 ;

闵晓涛 ;

张雪 .

中国专利 :CN209168109U ,2019-07-26

← 1 2 3 4 5 →