一种实现忆感器特性的模拟电路

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专利类型
发明
申请号
CN201510908273.0
申请日
2015-12-10
公开(公告)号
CN105375914A
公开(公告)日
2016-03-02
发明(设计)人
王光义 靳培培 王晋
申请人
申请人地址
310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
IPC主分类号
H03K1900
IPC分类号
代理机构
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240
代理人
杜军
法律状态
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
国省代码
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共 50 条
[1]
实现忆感器特性的模拟电路 [P]. 
王光义 ;
靳培培 ;
王晋 .
中国专利 :CN205232190U ,2016-05-11
[2]
实现忆阻器特性的模拟电路 [P]. 
王光义 ;
贺洁玲 ;
苏平 .
中国专利 :CN203193601U ,2013-09-11
[3]
一种忆感器的等效模拟电路 [P]. 
王光义 ;
郑利京 ;
韩春艳 ;
马德明 .
中国专利 :CN108416102A ,2018-08-17
[4]
一种流控忆感器的等效模拟电路 [P]. 
王光义 ;
吴泽炎 ;
丘嵘 ;
周玮 .
中国专利 :CN107526897A ,2017-12-29
[5]
实现忆容器电容特性的模拟电路 [P]. 
王光义 ;
臧寿池 ;
王晋 .
中国专利 :CN205247389U ,2016-05-18
[6]
一种磁控忆感器模型的等效模拟电路 [P]. 
王光义 ;
张娜 ;
丘嵘 .
中国专利 :CN107526896A ,2017-12-29
[7]
一种实现忆容器电容特性的模拟电路 [P]. 
王光义 ;
臧寿池 ;
王晋 .
中国专利 :CN105373679B ,2016-03-02
[8]
一种指数型忆感器电路 [P]. 
王光义 ;
靳培培 ;
王晋 .
中国专利 :CN205263816U ,2016-05-25
[9]
指数型忆感器电路 [P]. 
王光义 ;
靳培培 ;
王晋 .
中国专利 :CN105447270B ,2016-03-30
[10]
一种二次曲线忆感器等效模拟电路 [P]. 
袁方 ;
邓玥 ;
李玉霞 ;
宋依萱 .
中国专利 :CN109885858A ,2019-06-14