指数型忆感器电路

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201510940074.8
申请日
2015-12-15
公开(公告)号
CN105447270B
公开(公告)日
2016-03-30
发明(设计)人
王光义 靳培培 王晋
申请人
申请人地址
310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
IPC主分类号
G06F1750
IPC分类号
代理机构
浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100
代理人
王佳健
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种指数型忆感器电路 [P]. 
王光义 ;
靳培培 ;
王晋 .
中国专利 :CN205263816U ,2016-05-25
[2]
一种分数阶指数型忆阻器电路模型 [P]. 
王维阳 ;
王光义 ;
应佳捷 ;
董玉姣 .
中国专利 :CN111125980A ,2020-05-08
[3]
一种忆感器的等效模拟电路 [P]. 
王光义 ;
郑利京 ;
韩春艳 ;
马德明 .
中国专利 :CN108416102A ,2018-08-17
[4]
一种磁控忆感器模型的等效模拟电路 [P]. 
王光义 ;
张娜 ;
丘嵘 .
中国专利 :CN107526896A ,2017-12-29
[5]
实现指数型荷控忆容器仿真器的电路 [P]. 
王光义 ;
马德明 ;
丘嵘 ;
周玮 .
中国专利 :CN107451380A ,2017-12-08
[6]
一种指数型流控忆阻器的电路模型 [P]. 
王光义 ;
马德明 ;
张娜 .
中国专利 :CN108696274A ,2018-10-23
[7]
一种局部有源忆感器仿真器 [P]. 
董玉姣 ;
王光义 .
中国专利 :CN109657415A ,2019-04-19
[8]
一种实现指数型荷控忆容器仿真器的电路 [P]. 
马德明 ;
丘嵘 ;
王光义 ;
周玮 .
中国专利 :CN207148838U ,2018-03-27
[9]
实现忆感器特性的模拟电路 [P]. 
王光义 ;
靳培培 ;
王晋 .
中国专利 :CN205232190U ,2016-05-11
[10]
一种流控忆感器的等效模拟电路 [P]. 
王光义 ;
吴泽炎 ;
丘嵘 ;
周玮 .
中国专利 :CN107526897A ,2017-12-29