形成有金属纳米线层的基材及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201780009177.X
申请日
2017-03-14
公开(公告)号
CN108604482A
公开(公告)日
2018-09-28
发明(设计)人
荒木彻平 关谷毅 菅沼克昭 酒金婷 大籏英树 内田博 原真尚 中泽惠理
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01B514
IPC分类号
B32B516 B32B1502 B32B1508 B32B2712 B82Y3000 B82Y4000 H01B1300
代理机构
北京市中咨律师事务所 11247
代理人
李照明;段承恩
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
金属纳米线的制造方法 [P]. 
原真尚 ;
山木繁 ;
内田博 .
中国专利 :CN108025367B ,2018-05-11
[2]
金属纳米线膜及其制造方法 [P]. 
李龙勋 ;
宋甲得 ;
河丞镐 .
中国专利 :CN103632752A ,2014-03-12
[3]
形成金属纳米线或金属纳米网的方法 [P]. 
韩阳奎 ;
李济权 ;
李显振 ;
金鲁马 ;
尹圣琇 ;
申恩知 .
中国专利 :CN104718154B ,2015-06-17
[4]
纳米线及其制造方法 [P]. 
文钟云 ;
郑遇珠 ;
崔准洛 ;
朴性奎 ;
崔元钟 ;
李尚勳 ;
李容相 ;
徐赫秀 .
中国专利 :CN103443022A ,2013-12-11
[5]
金属纳米线的制造方法、金属纳米线、分散液及导电膜 [P]. 
黑冈俊次 ;
岛田和人 ;
糟谷雄一 .
日本专利 :CN118382728A ,2024-07-23
[6]
包含金属纳米线的透明导体及其形成方法 [P]. 
M.拉克鲁瓦 ;
P.加西亚-胡安 .
中国专利 :CN107251160A ,2017-10-13
[7]
金属纳米线的制造方法与半导体器件及其制造方法 [P]. 
张海洋 ;
蒋鑫 ;
钟伯琛 .
中国专利 :CN110571186A ,2019-12-13
[8]
金属纳米线催化剂的制造方法 [P]. 
宇坂修 ;
松森裕史 .
日本专利 :CN120479416A ,2025-08-15
[9]
金属纳米线的制备方法 [P]. 
魏红 ;
高龙 ;
徐红星 .
中国专利 :CN110395687A ,2019-11-01
[10]
纳米线透明电极及其制造方法 [P]. 
金相澔 ;
徐昌雨 ;
李珍伊 .
中国专利 :CN110100289B ,2019-08-06