一种光电子半导体硅片脱胶工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810763403.X

申请日：

2018-07-12

公开(公告)号：

CN109037032A

公开(公告)日：

2018-12-18

发明(设计)人：

程华风

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翡翠路447号翡翠花园四期7幢702室

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548

代理人：

李静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180712
2021-07-20	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20181218
2018-12-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体硅片脱胶工艺 [P].

王少刚 ;

邢玉军 ;

范猛 ;

王帅 ;

张全红 ;

李立伟 .

中国专利 :CN103464418B ,2013-12-25

[2]

光电子半导体本体和光电子半导体芯片 [P].

伊瓦尔·通林 ;

延斯·埃贝克 ;

伊内斯·皮聪卡 .

中国专利 :CN104584242B ,2015-04-29

[3]

光电子半导体层序列和光电子半导体器件 [P].

丹尼尔·里希特 ;

贡纳尔·彼得森 .

德国专利 :CN117941083A ,2024-04-26

[4]

光电子半导体芯片、光电子半导体器件和用于制造光电子半导体芯片的方法 [P].

西格弗里德·赫尔曼 .

中国专利 :CN107431118A ,2017-12-01

[5]

光电子半导体芯片 [P].

洛伦佐·齐尼 ;

贝恩德·伯姆 .

中国专利 :CN107731806A ,2018-02-23

[6]

光电子半导体芯片 [P].

迈克尔·费雷尔 ;

乌韦·施特劳斯 .

中国专利 :CN101395725B ,2009-03-25

[7]

光电子半导体芯片 [P].

卢茨·赫佩尔 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 .

中国专利 :CN102106008A ,2011-06-22

[8]

光电子半导体器件 [P].

吉多·韦斯 .

中国专利 :CN106796969B ,2017-05-31

[9]

光电子半导体部件 [P].

马丁·穆勒 ;

尤伟·斯特劳斯 .

中国专利 :CN102356522A ,2012-02-15

[10]

光电子半导体芯片 [P].

安娜·斯特罗泽茨卡-阿西格 ;

约翰尼斯·萨里奇 .

中国专利 :CN111868942A ,2020-10-30

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