一种隧道磁阻效应传感器的低频噪声抑制装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811454912.0

申请日：

2018-11-30

公开(公告)号：

CN109556647A

公开(公告)日：

2019-04-02

发明(设计)人：

石明慧姚莹飞徐大诚高路

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市相城区济学路8号

IPC主分类号：

G01D1800

IPC分类号：

代理机构：

苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257

代理人：

徐洋洋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-03	授权	授权
2019-04-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01D 18/00 申请日:20181130
2019-04-02	公开	公开

共 50 条

[1]

用于抑制具有隧道磁阻的磁阻传感器的低频噪声的系统和方法 [P].

米里亚姆·帕内捷-勒克尔 ;

奥雷利·索利尼亚克 ;

文森特·特罗谢塞克 ;

克劳德·费蒙 .

中国专利 :CN110998348B ,2020-04-10

[2]

一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器 [P].

杨波 ;

梁卓玥 ;

张婷 ;

王斌龙 .

中国专利 :CN210572369U ,2020-05-19

[3]

一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器 [P].

杨波 ;

梁卓玥 ;

张婷 ;

王斌龙 .

中国专利 :CN110261640A ,2019-09-20

[4]

一种基于隧道磁阻效应的MEMS微流速传感器 [P].

杨波 ;

梁卓玥 ;

张婷 ;

王斌龙 .

中国专利 :CN110261640B ,2024-04-09

[5]

用于抑制磁阻传感器的低频噪声的系统和方法 [P].

奥雷利·索利尼亚克 ;

克劳德·费蒙 ;

米里亚姆·帕内捷-勒克尔 ;

文森特·特罗谢塞克 .

中国专利 :CN110869788B ,2020-03-06

[6]

基于隧道磁阻效应的单轴微机械位移传感器 [P].

崔敏 ;

刘晓东 ;

黄用 ;

王威 ;

李新娥 .

中国专利 :CN107131819A ,2017-09-05

[7]

一种基于隧道磁阻效应的单轴微机械位移传感器 [P].

崔敏 ;

刘晓东 ;

黄用 ;

王威 ;

李新娥 .

中国专利 :CN206905691U ,2018-01-19

[8]

一种隧穿磁阻传感器低频噪声抑制方法 [P].

李翔宇 ;

费哲彬 ;

季泽鑫 ;

张晓伟 .

中国专利 :CN119044849A ,2024-11-29

[9]

一种用于隧道磁阻式效应传感器的角度谐波抑制方法 [P].

董毅杰 ;

吴浩 ;

赵宇 ;

李硕 ;

吴平仿 .

中国专利 :CN120128033A ,2025-06-10

[10]

双超导环和隧道磁阻效应复合磁传感器及其制备方法 [P].

李鹏 ;

田兵 ;

骆柏锋 ;

尹旭 ;

吕前程 ;

刘仲 ;

张佳明 ;

钟枚汕 ;

何毅 ;

张伟勋 ;

卢星宇 ;

陈仁泽 ;

樊小鹏 ;

王志明 ;

孙宏棣 ;

林力 ;

徐振恒 ;

韦杰 ;

谭则杰 ;

林秉章 .

中国专利 :CN115561683A ,2023-01-03

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