氮化物半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610115099.5

申请日：

2006-08-24

公开(公告)号：

CN1921147A

公开(公告)日：

2007-02-28

发明(设计)人：

斋藤渉小野村正明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

H01L2912

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

法律状态：

专利权的视为放弃

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-04	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃
2007-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-02-28	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体元件 [P].

吉冈启 ;

斋藤涉 ;

齐藤泰伸 ;

藤本英俊 ;

大野哲也 .

中国专利 :CN102237402B ,2011-11-09

[2]

氮化物半导体元件 [P].

斋藤渉 ;

小野村正明 ;

田中明 ;

橘浩一 ;

藏口雅彦 ;

野田隆夫 ;

新田智洋 ;

吉冈启 .

中国专利 :CN1921148A ,2007-02-28

[3]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河羲典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN101188266B ,2008-05-28

[4]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1941436A ,2007-04-04

[5]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1933201A ,2007-03-21

[6]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1933200A ,2007-03-21

[7]

氮化物半导体元件 [P].

谷沢公二 ;

三谷友次 ;

中河義典 ;

高木宏典 ;

丸居宏充 ;

福田芳克 ;

池上武止 .

中国专利 :CN1933199A ,2007-03-21

[8]

氮化物半导体元件 [P].

郭雨澈 ;

崔承奎 ;

金材宪 ;

郑廷桓 ;

白龙贤 ;

张三硕 ;

洪竖延 ;

郑渼暻 .

中国专利 :CN111063776A ,2020-04-24

[9]

氮化物半导体激光元件和氮化物半导体元件 [P].

松山裕司 ;

铃木真二 ;

伊势康介 ;

道上敦生 ;

米田章法 .

中国专利 :CN1677778A ,2005-10-05

[10]

氮化物半导体元件 [P].

福田芳克 ;

藤冈阳 .

中国专利 :CN100377369C ,2004-07-21

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