多离子传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310469785.2

申请日：

2013-10-10

公开(公告)号：

CN103728356A

公开(公告)日：

2014-04-16

发明(设计)人：

岩本惠和大川浩美

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

G01N27403

IPC分类号：

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

李雪春;王维玉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-15	授权	授权
2014-04-16	公开	公开
2015-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101623047423 IPC(主分类):G01N 27/403 专利申请号:2013104697852 申请日:20131010

共 50 条

[1]

一种无感校正的多离子传感器 [P].

罗武林 .

中国专利 :CN115639263A ,2023-01-24

[2]

离子传感器、离子传感器模块及离子传感器的制造方法 [P].

樱冈正幸 ;

铃木园江 ;

大沼武彦 ;

田村惠美子 .

中国专利 :CN101196528A ,2008-06-11

[3]

多参数离子传感器、传感器芯片和监测系统 [P].

许世卫 ;

李哲敏 ;

李灯华 .

中国专利 :CN204008550U ,2014-12-10

[4]

离子传感器 [P].

福岛孝典 ;

石割文崇 ;

长谷部花子 ;

染谷隆夫 ;

关谷毅 .

中国专利 :CN105473627A ,2016-04-06

[5]

离子传感器 [P].

朱建峰 ;

刘纬缜 .

中国专利 :CN208579978U ,2019-03-05

[6]

多参数离子传感器及其制备方法、多参数离子传感器芯片和监测系统 [P].

许世卫 ;

李哲敏 ;

李灯华 .

中国专利 :CN103969314A ,2014-08-06

[7]

TFT离子传感器、使用该TFT离子传感器的TFT离子传感器装置 [P].

竹知和重 ;

芳贺浩史 ;

岩松新之辅 ;

小林诚也 ;

阿部泰 ;

矢作彻 .

中国专利 :CN104950023B ,2015-09-30

[8]

水离子传感器 [P].

胡洪武 .

中国专利 :CN103076368A ,2013-05-01

[9]

空气离子传感器 [P].

陆勇 ;

安锦华 ;

陆可昕 ;

高建峰 .

中国专利 :CN202002921U ,2011-10-05

[10]

离子传感器、离子传感器的制造方法和离子的测定方法 [P].

小岛顺子 ;

内山兼一 ;

本乡沙也加 .

日本专利 :CN117642626A ,2024-03-01

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