离子传感器、离子传感器的制造方法和离子的测定方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280046173.X

申请日：

2022-03-29

公开(公告)号：

CN117642626A

公开(公告)日：

2024-03-01

发明(设计)人：

小岛顺子内山兼一本乡沙也加

申请人：

希森美康株式会社

申请人地址：

日本兵库县

IPC主分类号：

G01N27/333

IPC分类号：

G01N27/416 G01N27/30

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

张智慧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开
2024-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01N 27/333申请日:20220329

共 50 条

[1]

离子传感器、离子传感器模块及离子传感器的制造方法 [P].

樱冈正幸 ;

铃木园江 ;

大沼武彦 ;

田村惠美子 .

中国专利 :CN101196528A ,2008-06-11

[2]

pH传感器、pH测定方法、离子传感器及离子浓度测定方法 [P].

新谷幸弘 ;

竹中一马 .

中国专利 :CN102636543A ,2012-08-15

[3]

金属离子传感器的制备 [P].

李景虹 ;

董绍俊 .

中国专利 :CN1186237A ,1998-07-01

[4]

离子传感器的制造方法以及离子传感器用电极体 [P].

竹内孝宪 .

中国专利 :CN115698693A ,2023-02-03

[5]

离子传感器的制造方法以及离子传感器用电极体 [P].

竹内孝宪 .

日本专利 :CN115698693B ,2025-07-29

[6]

TFT离子传感器、使用该TFT离子传感器的TFT离子传感器装置 [P].

竹知和重 ;

芳贺浩史 ;

岩松新之辅 ;

小林诚也 ;

阿部泰 ;

矢作彻 .

中国专利 :CN104950023B ,2015-09-30

[7]

离子传感器 [P].

福岛孝典 ;

石割文崇 ;

长谷部花子 ;

染谷隆夫 ;

关谷毅 .

中国专利 :CN105473627A ,2016-04-06

[8]

离子传感器 [P].

朱建峰 ;

刘纬缜 .

中国专利 :CN208579978U ,2019-03-05

[9]

形成离子传感器的方法 [P].

P.瓦戈纳 ;

J.欧文斯 ;

S.帕克 .

美国专利 :CN112585459B ,2024-01-02

[10]

形成离子传感器的方法 [P].

P.瓦戈纳 ;

J.欧文斯 ;

S.帕克 .

中国专利 :CN112585459A ,2021-03-30

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