离子传感器的制造方法以及离子传感器用电极体

被引：0

申请号：

CN202180039765.4

申请日：

2021-03-11

公开(公告)号：

CN115698693A

公开(公告)日：

2023-02-03

发明(设计)人：

竹内孝宪

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

G01N27333

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

俞丹;宋俊寅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-03	公开	公开

共 50 条

[1]

离子传感器的制造方法以及离子传感器用电极体 [P].

竹内孝宪 .

日本专利 :CN115698693B ,2025-07-29

[2]

离子传感器、离子传感器模块及离子传感器的制造方法 [P].

樱冈正幸 ;

铃木园江 ;

大沼武彦 ;

田村惠美子 .

中国专利 :CN101196528A ,2008-06-11

[3]

离子传感器、离子传感器的制造方法和离子的测定方法 [P].

小岛顺子 ;

内山兼一 ;

本乡沙也加 .

日本专利 :CN117642626A ,2024-03-01

[4]

传感器用电极材、传感器用电极、传感器、及生物传感器 [P].

小田高司 ;

增田将太郎 .

中国专利 :CN111684270A ,2020-09-18

[5]

传感器用电极以及使用了该传感器用电极的面状传感器 [P].

伊东邦夫 ;

饭尾真治 ;

日比野委茂 .

中国专利 :CN110612437A ,2019-12-24

[6]

TFT离子传感器、使用该TFT离子传感器的TFT离子传感器装置 [P].

竹知和重 ;

芳贺浩史 ;

岩松新之辅 ;

小林诚也 ;

阿部泰 ;

矢作彻 .

中国专利 :CN104950023B ,2015-09-30

[7]

电极、传感器以及传感器的制造方法 [P].

白井彰人 ;

西山雅人 .

日本专利 :CN119585609A ,2025-03-07

[8]

离子传感器 [P].

福岛孝典 ;

石割文崇 ;

长谷部花子 ;

染谷隆夫 ;

关谷毅 .

中国专利 :CN105473627A ,2016-04-06

[9]

离子传感器 [P].

朱建峰 ;

刘纬缜 .

中国专利 :CN208579978U ,2019-03-05

[10]

电极、离子敏感传感器、电容和离子活度的检测方法 [P].

许鹏 ;

张世理 ;

赵丹 .

中国专利 :CN106501340A ,2017-03-15

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