金属离子传感器的制备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96114793.8

申请日：

1996-12-26

公开(公告)号：

CN1186237A

公开(公告)日：

1998-07-01

发明(设计)人：

李景虹董绍俊

申请人：

申请人地址：

130022吉林省长春市人民大街159号

IPC主分类号：

G01N2726

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1998-07-01	公开	公开
1998-04-29	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2004-02-25	专利权的终止未缴年费专利权终止	专利权的终止未缴年费专利权终止
2001-08-08	授权	授权

共 50 条

[1]

离子传感器、离子传感器的制造方法和离子的测定方法 [P].

小岛顺子 ;

内山兼一 ;

本乡沙也加 .

日本专利 :CN117642626A ,2024-03-01

[2]

金属离子传感器及其制备方法、金属离子的检测方法 [P].

汪金 ;

张吕峥 ;

高春蓉 ;

盛小华 .

中国专利 :CN118533921A ,2024-08-23

[3]

金属离子传感器 [P].

孙志杰 ;

唐俐媚 ;

秦业钢 ;

徐涛 .

中国专利 :CN2879181Y ,2007-03-14

[4]

离子传感器 [P].

福岛孝典 ;

石割文崇 ;

长谷部花子 ;

染谷隆夫 ;

关谷毅 .

中国专利 :CN105473627A ,2016-04-06

[5]

金属离子传感器和检测金属离子的方法 [P].

詹妮·杰·杨 ;

唐申 ;

优（乔伊）·卓 .

中国专利 :CN108164591B ,2018-06-15

[6]

金属离子传感器和检测金属离子的方法 [P].

詹妮·杰·杨 ;

唐申 ;

优（乔伊）·卓 .

中国专利 :CN105612426B ,2016-05-25

[7]

离子传感器、离子传感器模块及离子传感器的制造方法 [P].

樱冈正幸 ;

铃木园江 ;

大沼武彦 ;

田村惠美子 .

中国专利 :CN101196528A ,2008-06-11

[8]

用于检测金属离子的光学传感器 [P].

古康妮 ;

M·Q·佘 ;

F·H·宾蒂·贾马鲁丁 .

:CN223078185U ,2025-07-08

[9]

TFT离子传感器、使用该TFT离子传感器的TFT离子传感器装置 [P].

竹知和重 ;

芳贺浩史 ;

岩松新之辅 ;

小林诚也 ;

阿部泰 ;

矢作彻 .

中国专利 :CN104950023B ,2015-09-30

[10]

离子传感器 [P].

朱建峰 ;

刘纬缜 .

中国专利 :CN208579978U ,2019-03-05

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