半导体元件

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN201330446773.9

申请日：

2013-09-18

公开(公告)号：

CN302760124S

公开(公告)日：

2014-03-12

发明(设计)人：

川濑达也宫本升石原三纪夫

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

1303

IPC分类号：

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

郭小军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件 [P].

米山玲 ;

荒木健宏 ;

木村义孝 ;

后藤章 ;

山下秋彦 ;

小野真理子 ;

后藤亮 .

中国专利 :CN303438897S ,2015-11-11

[2]

半导体元件 [P].

米山玲 ;

荒木健宏 ;

后藤章 ;

木村义孝 ;

山下秋彦 ;

小野真理子 ;

后藤亮 .

中国专利 :CN303453121S ,2015-11-18

[3]

半导体元件 [P].

李柚滉 ;

严晶铉 ;

张浩喆 .

中国专利 :CN307072136S ,2022-01-18

[4]

半导体元件 [P].

李柚滉 ;

严晶铉 ;

张浩喆 .

中国专利 :CN306646985S ,2021-06-29

[5]

半导体元件（一） [P].

韩波 .

中国专利 :CN306155342S ,2020-11-06

[6]

半导体元件（二） [P].

韩波 .

中国专利 :CN306196453S ,2020-11-27

[7]

功率半导体元件 [P].

林田幸昌 ;

井浦真一 ;

上村仁 ;

大宅大介 ;

羽鸟宪司 ;

酒井康裕 ;

津田亮 ;

伊达龙太郎 .

中国专利 :CN303755817S ,2016-07-27

[8]

功率半导体元件 [P].

松本学 ;

大坪义贵 ;

益本宽之 .

中国专利 :CN303617938S ,2016-03-16

[9]

半导体元件 [P].

田口晶英 ;

大河亮介 ;

今井俊和 .

中国专利 :CN305750662S ,2020-05-01

[10]

半导体元件 [P].

大河亮介 ;

今井俊和 ;

吉田一磨 ;

井上翼 ;

今村武司 .

中国专利 :CN305630931S ,2020-02-28

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