功率半导体元件

被引：0

专利类型：

外观设计

申请号：

CN201630058618.3

申请日：

2016-03-03

公开(公告)号：

CN303755817S

公开(公告)日：

2016-07-27

发明(设计)人：

林田幸昌井浦真一上村仁大宅大介羽鸟宪司酒井康裕津田亮伊达龙太郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

1499

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

顾缨;黄纶伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-27	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体元件 [P].

松本学 ;

大坪义贵 ;

益本宽之 .

中国专利 :CN303617938S ,2016-03-16

[2]

功率半导体元件 [P].

斋藤涉 ;

大村一郎 ;

木下浩三 .

中国专利 :CN100521228C ,2004-05-05

[3]

功率半导体元件 [P].

林宗翰 ;

叶宜函 .

中国专利 :CN114156266B ,2025-06-13

[4]

功率半导体元件 [P].

陈中怡 .

中国专利 :CN114464668A ,2022-05-10

[5]

功率半导体元件 [P].

中村和敏 ;

松田正 ;

二宫英彰 .

中国专利 :CN103681824A ,2014-03-26

[6]

功率半导体元件 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN110148595A ,2019-08-20

[7]

功率半导体元件 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN110391296A ,2019-10-29

[8]

功率半导体元件 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN208271904U ,2018-12-21

[9]

功率半导体元件 [P].

林宗翰 ;

叶宜函 .

中国专利 :CN114156266A ,2022-03-08

[10]

功率半导体元件 [P].

斋藤涉 ;

大村一郎 ;

木下浩三 .

中国专利 :CN100550416C ,2007-11-14

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