功率半导体元件

被引：0

申请号：

CN202210120715.5

申请日：

2022-02-09

公开(公告)号：

CN114464668A

公开(公告)日：

2022-05-10

发明(设计)人：

陈中怡

申请人：

申请人地址：

中国台湾新北市土城区中山路66号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

康艳青;王琳

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-10	公开	公开
2022-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220209

共 50 条

[1]

功率半导体元件 [P].

斋藤涉 ;

大村一郎 ;

木下浩三 .

中国专利 :CN100521228C ,2004-05-05

[2]

功率半导体元件 [P].

林宗翰 ;

叶宜函 .

中国专利 :CN114156266B ,2025-06-13

[3]

功率半导体元件 [P].

林田幸昌 ;

井浦真一 ;

上村仁 ;

大宅大介 ;

羽鸟宪司 ;

酒井康裕 ;

津田亮 ;

伊达龙太郎 .

中国专利 :CN303755817S ,2016-07-27

[4]

功率半导体元件 [P].

中村和敏 ;

松田正 ;

二宫英彰 .

中国专利 :CN103681824A ,2014-03-26

[5]

功率半导体元件 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN110148595A ,2019-08-20

[6]

功率半导体元件 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN110391296A ,2019-10-29

[7]

功率半导体元件 [P].

松本学 ;

大坪义贵 ;

益本宽之 .

中国专利 :CN303617938S ,2016-03-16

[8]

功率半导体元件 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN208271904U ,2018-12-21

[9]

功率半导体元件 [P].

林宗翰 ;

叶宜函 .

中国专利 :CN114156266A ,2022-03-08

[10]

功率半导体元件 [P].

斋藤涉 ;

大村一郎 ;

木下浩三 .

中国专利 :CN100550416C ,2007-11-14

← 1 2 3 4 5 →