功率半导体元件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820791965.0

申请日：

2018-05-25

公开(公告)号：

CN208271904U

公开(公告)日：

2018-12-21

发明(设计)人：

陈劲甫

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县竹北市台元一街5号9楼之6

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2940

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

吴志红;臧建明

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-08-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/06 登记生效日:20190731 变更事项:专利权人变更前权利人:力祥半导体股份有限公司变更后权利人:力智电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:新竹县竹北市台元一街5号9楼之6 变更后权利人:中国台湾新竹县竹北市台元一街5号9楼之1
2018-12-21	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体元件 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN110391296A ,2019-10-29

[2]

功率半导体元件 [P].

陈劲甫 .

中国专利 :CN110148595A ,2019-08-20

[3]

功率半导体元件 [P].

斋藤涉 ;

大村一郎 ;

木下浩三 .

中国专利 :CN100521228C ,2004-05-05

[4]

半导体功率元件 [P].

廖奇泊 ;

周雯 .

中国专利 :CN204375753U ,2015-06-03

[5]

功率半导体元件 [P].

林宗翰 ;

叶宜函 .

中国专利 :CN114156266B ,2025-06-13

[6]

功率半导体元件 [P].

林田幸昌 ;

井浦真一 ;

上村仁 ;

大宅大介 ;

羽鸟宪司 ;

酒井康裕 ;

津田亮 ;

伊达龙太郎 .

中国专利 :CN303755817S ,2016-07-27

[7]

功率半导体元件 [P].

陈中怡 .

中国专利 :CN114464668A ,2022-05-10

[8]

功率半导体元件 [P].

中村和敏 ;

松田正 ;

二宫英彰 .

中国专利 :CN103681824A ,2014-03-26

[9]

功率半导体元件 [P].

松本学 ;

大坪义贵 ;

益本宽之 .

中国专利 :CN303617938S ,2016-03-16

[10]

功率半导体元件 [P].

林宗翰 ;

叶宜函 .

中国专利 :CN114156266A ,2022-03-08

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