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功率半导体元件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010927143.2
申请日：
2020-09-07
公开(公告)号：
CN114156266B
公开(公告)日：
2025-06-13
发明(设计)人：
林宗翰 叶宜函
申请人：
联华电子股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹市
IPC主分类号：
H10D84/83
IPC分类号：
H10D30/60
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
陈小雯
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-13 授权 授权
2025-08-15 专利权期限的补偿 专利权期限补偿IPC(主分类):H10D 84/83申请日:20200907授权公告日:20250613原专利权期满终止日:20400907现专利权期满终止日:20401213
共 50 条
[1]
功率半导体元件 [P]. 
林宗翰 ;
叶宜函 .
中国专利 :CN114156266A ,2022-03-08
[2]
功率半导体元件 [P]. 
斋藤涉 ;
大村一郎 ;
木下浩三 .
中国专利 :CN100521228C ,2004-05-05
[3]
功率半导体元件 [P]. 
林田幸昌 ;
井浦真一 ;
上村仁 ;
大宅大介 ;
羽鸟宪司 ;
酒井康裕 ;
津田亮 ;
伊达龙太郎 .
中国专利 :CN303755817S ,2016-07-27
[4]
功率半导体元件 [P]. 
陈中怡 .
中国专利 :CN114464668A ,2022-05-10
[5]
功率半导体元件 [P]. 
中村和敏 ;
松田正 ;
二宫英彰 .
中国专利 :CN103681824A ,2014-03-26
[6]
功率半导体元件 [P]. 
陈劲甫 .
中国专利 :CN110148595A ,2019-08-20
[7]
功率半导体元件 [P]. 
陈劲甫 .
中国专利 :CN110391296A ,2019-10-29
[8]
功率半导体元件 [P]. 
松本学 ;
大坪义贵 ;
益本宽之 .
中国专利 :CN303617938S ,2016-03-16
[9]
功率半导体元件 [P]. 
陈劲甫 .
中国专利 :CN208271904U ,2018-12-21
[10]
功率半导体元件 [P]. 
斋藤涉 ;
大村一郎 ;
木下浩三 .
中国专利 :CN100550416C ,2007-11-14
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