一种提高磁控溅射平面靶材利用率的方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410785414.X

申请日：

2014-12-17

公开(公告)号：

CN104498886A

公开(公告)日：

2015-04-08

发明(设计)人：

张宁余新平张森卓胜张至树

申请人：

申请人地址：

100085 北京市海淀区上地信息产业基地四街9号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

北京金阙华进专利事务所(普通合伙) 11224

代理人：

吴鸿维

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-08	公开	公开
2015-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101608391107 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:201410785414X 申请日:20141217
2017-12-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 14/35 申请公布日:20150408

共 50 条

[1]

磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法 [P].

田小智 ;

姜翠宁 ;

黄启耀 .

中国专利 :CN101586228A ,2009-11-25

[2]

提高靶材利用率的磁控溅射靶及控制方法、磁控溅射设备 [P].

郭挑远 .

中国专利 :CN119194383A ,2024-12-27

[3]

一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极 [P].

陈理 ;

李国强 .

中国专利 :CN101418433A ,2009-04-29

[4]

一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极 [P].

陈理 ;

李国强 .

中国专利 :CN201301340Y ,2009-09-02

[5]

一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶材利用率的方法 [P].

彭寿 ;

葛承全 ;

张超群 ;

井治 ;

张仰平 ;

李险峰 .

中国专利 :CN103820759A ,2014-05-28

[6]

一种提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置 [P].

夏正卫 ;

张心凤 ;

范宏跃 .

中国专利 :CN113512706A ,2021-10-19

[7]

一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的装置及方法 [P].

潘宏胜 ;

梅艳慧 ;

张盼 ;

江湖 ;

叶显飞 ;

鲁启昌 ;

陈里险 .

中国专利 :CN120026291A ,2025-05-23

[8]

一种提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置 [P].

夏正卫 ;

张心凤 ;

范宏跃 .

中国专利 :CN215713336U ,2022-02-01

[9]

一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的装置及方法 [P].

潘宏胜 ;

梅艳慧 ;

张盼 ;

江湖 ;

叶显飞 ;

鲁启昌 ;

陈里险 .

中国专利 :CN120026291B ,2025-08-22

[10]

新型高靶材利用率平面磁控溅射阴极 [P].

张诚 .

中国专利 :CN107083537B ,2017-08-22

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