一种提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202121176018.9

申请日：

2021-05-28

公开(公告)号：

CN215713336U

公开(公告)日：

2022-02-01

发明(设计)人：

夏正卫张心凤范宏跃

申请人：

申请人地址：

230088 安徽省合肥市高新区永和路99号一天电气F厂房101-A区

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

代理机构：

合肥九道和专利代理事务所(特殊普通合伙) 34154

代理人：

胡发丁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-01	授权	授权

共 50 条

[1]

一种提高靶材利用率的磁控溅射镀膜源装置 [P].

夏正卫 ;

张心凤 ;

范宏跃 .

中国专利 :CN113512706A ,2021-10-19

[2]

一种用于提高磁控溅射镀膜靶材利用率的靶材 [P].

周航锋 ;

贺伟 ;

侍进山 ;

徐博文 ;

李景 ;

李信 ;

陈武 ;

万禄兵 .

中国专利 :CN203947153U ,2014-11-19

[3]

一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的装置及方法 [P].

潘宏胜 ;

梅艳慧 ;

张盼 ;

江湖 ;

叶显飞 ;

鲁启昌 ;

陈里险 .

中国专利 :CN120026291A ,2025-05-23

[4]

一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的装置及方法 [P].

潘宏胜 ;

梅艳慧 ;

张盼 ;

江湖 ;

叶显飞 ;

鲁启昌 ;

陈里险 .

中国专利 :CN120026291B ,2025-08-22

[5]

磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法 [P].

田小智 ;

姜翠宁 ;

黄启耀 .

中国专利 :CN101586228A ,2009-11-25

[6]

一种提高磁控溅射靶材利用率的装置 [P].

谢斌 ;

李明 ;

籍伟杰 .

中国专利 :CN211814635U ,2020-10-30

[7]

一种用于磁控溅射镀膜提高靶材利用率的方法及系统 [P].

夏白杨 ;

明松 .

中国专利 :CN121023456A ,2025-11-28

[8]

一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极 [P].

陈理 ;

李国强 .

中国专利 :CN101418433A ,2009-04-29

[9]

一种可提高靶材利用率的平面磁控溅射阴极 [P].

陈理 ;

李国强 .

中国专利 :CN201301340Y ,2009-09-02

[10]

一种提高磁控溅射平面靶材利用率的方法及装置 [P].

张宁 ;

余新平 ;

张森 ;

卓胜 ;

张至树 .

中国专利 :CN104498886A ,2015-04-08

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