一种有源高密度电极阵列及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910485695.X

申请日：

2019-06-05

公开(公告)号：

CN110200627A

公开(公告)日：

2019-09-06

发明(设计)人：

茅帅帅李俊张建华李泽文

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

A61B50492

IPC分类号：

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

杜阳阳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-06	公开	公开
2019-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):A61B 5/0492 申请日:20190605
2020-06-23	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):A61B 5/0492 变更事项:发明人变更前:茅帅帅李俊张建华李泽文变更后:张建华茅帅帅李俊李泽文
2020-06-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种有源高密度电极阵列及其制备方法 [P].

李俊 ;

田明兴 ;

程连 ;

郭爱英 ;

张建华 .

中国专利 :CN118203330A ,2024-06-18

[2]

一种有源高密度电极阵列及其制备方法 [P].

李俊 ;

田明兴 ;

程连 ;

郭爱英 ;

张建华 .

中国专利 :CN118203330B ,2025-12-12

[3]

一种高密度纳米电极阵列及其制备方法 [P].

张海霞 ;

张晓升 ;

苏宗明 ;

金柏宏 ;

朱福运 .

中国专利 :CN102923645A ,2013-02-13

[4]

一种高密度电极阵列及其制造方法 [P].

唐世明 .

中国专利 :CN1891143A ,2007-01-10

[5]

一种高密度有源柔性电极阵列及其信号调理电路 [P].

张恒毅 ;

陈香 ;

曹翔 .

中国专利 :CN103393420A ,2013-11-20

[6]

一种多通道高密度电极阵列 [P].

李俊 ;

郭潇林 ;

郭爱英 ;

张建华 .

中国专利 :CN117717348A ,2024-03-19

[7]

高密度MOSFET阵列及其制备方法 [P].

李亦衡 ;

金钟五 ;

常虹 .

中国专利 :CN104051461A ,2014-09-17

[8]

一种高密度电极阵列结构 [P].

唐世明 .

中国专利 :CN2815273Y ,2006-09-13

[9]

一种阵列基板及其制备方法 [P].

罗成志 .

中国专利 :CN113113428A ,2021-07-13

[10]

一种高密度存储阵列 [P].

王宗巍 ;

杨宇航 ;

蔡一茂 ;

黄如 .

中国专利 :CN118136061A ,2024-06-04

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