一种高密度存储阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410265948.3

申请日：

2024-03-08

公开(公告)号：

CN118136061A

公开(公告)日：

2024-06-04

发明(设计)人：

王宗巍杨宇航蔡一茂黄如

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

G11C5/02

IPC分类号：

G11C13/00

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360

代理人：

贾晓玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G11C 5/02申请日:20240308
2024-06-04	公开	公开
2025-03-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高密度存储阵列 [P].

王宗巍 ;

杨宇航 ;

蔡一茂 ;

黄如 .

中国专利 :CN118136061B ,2025-03-18

[2]

一种高密度存储阵列及其操作方法 [P].

王宗巍 ;

杨宇航 ;

蔡一茂 ;

黄如 .

中国专利 :CN118016121A ,2024-05-10

[3]

一种高密度存储阵列及其操作方法 [P].

王宗巍 ;

杨宇航 ;

蔡一茂 ;

黄如 .

中国专利 :CN118016121B ,2024-07-16

[4]

高密度MRAM单元阵列 [P].

马克·杜尔拉姆 ;

马克·德和雷拉 ;

尤金·陈 ;

赛德·特拉尼 ;

格罗利亚·科斯考斯基 ;

彼得·K·纳吉 ;

乔恩·斯劳伏特 ;

科利·W·凯勒 .

中国专利 :CN1505837A ,2004-06-16

[5]

存储器内计算、高密度阵列 [P].

A·格罗弗 ;

T·罗伊 .

中国专利 :CN112435700A ,2021-03-02

[6]

具有存储器阵列的高密度集成电路 [P].

林金溪 ;

黄盟珠 ;

陈俊利 ;

倪福隆 .

中国专利 :CN1423278B ,2003-06-11

[7]

一种改进的高密度存储单元 [P].

里卡德·福斯 ;

科马克·奥康奈尔 .

中国专利 :CN1248237C ,2003-04-02

[8]

高密度存储光盘 [P].

高岩 .

中国专利 :CN215815178U ,2022-02-11

[9]

高密度存储设施 [P].

约翰·F·科克瑞恩 .

中国专利 :CN103857605A ,2014-06-11

[10]

一种高密度磁性存储器件 [P].

赵巍胜 ;

王昭昊 ;

王梦醒 ;

张磊 .

中国专利 :CN107611255A ,2018-01-19

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