一种高密度磁性存储器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710812254.7

申请日：

2017-09-11

公开(公告)号：

CN107611255A

公开(公告)日：

2018-01-19

发明(设计)人：

赵巍胜王昭昊王梦醒张磊

申请人：

申请人地址：

100191 北京市海淀区学院路37号

IPC主分类号：

H01L4302

IPC分类号：

H01L4308 H01L4310 G11C1116

代理机构：

北京慧泉知识产权代理有限公司 11232

代理人：

王顺荣;唐爱华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-19	公开	公开
2018-02-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/02 申请日:20170911
2021-03-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 43/02 登记生效日:20210303 变更事项:专利权人变更前权利人:北京航空航天大学变更后权利人:致真存储（北京）科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:100191 北京市海淀区学院路37号变更后权利人:100191 北京市海淀区知春路23号5层504A、504B室
2019-09-10	授权	授权

共 50 条

[1]

高密度半导体存储器件 [P].

李宰圭 ;

姜荣珉 ;

李贤珠 .

中国专利 :CN103137173A ,2013-06-05

[2]

磁性存储器件 [P].

李吉镐 ;

金容才 .

韩国专利 :CN120835737A ,2025-10-24

[3]

高密度存储器结构 [P].

林洋绪 ;

陆晓文 ;

郑基廷 ;

张琮永 .

中国专利 :CN104599700A ,2015-05-06

[4]

高密度存储器结构 [P].

蔡南雄 ;

陈民良 .

中国专利 :CN1165381A ,1997-11-19

[5]

磁性存储器件 [P].

金晥均 ;

朴正宪 ;

申喜珠 ;

赵泳俊 ;

李俊明 ;

郑峻昊 .

中国专利 :CN115411063A ,2022-11-29

[6]

磁性存储器件 [P].

金哉勋 ;

金荣灿 ;

金英铉 .

韩国专利 :CN120435010A ,2025-08-05

[7]

磁性存储器件 [P].

吴世忠 ;

金廷穆 ;

金憻泳 ;

申喜珠 ;

赵泳俊 .

韩国专利 :CN119277953A ,2025-01-07

[8]

磁性存储器件 [P].

朴炳国 ;

朴正宪 ;

李炅珍 ;

柳淀春 .

中国专利 :CN115707254A ,2023-02-17

[9]

磁性存储器件 [P].

李容在 ;

李吉镐 ;

皮雄焕 .

韩国专利 :CN119968098A ,2025-05-09

[10]

磁性存储器件 [P].

李成喆 ;

李炅珍 ;

金夕钟 .

韩国专利 :CN120787112A ,2025-10-14

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