高密度MRAM单元阵列

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN01814932.4
申请日
2001-08-09
公开(公告)号
CN1505837A
公开(公告)日
2004-06-16
发明(设计)人
马克·杜尔拉姆 马克·德和雷拉 尤金·陈 赛德·特拉尼 格罗利亚·科斯考斯基 彼得·K·纳吉 乔恩·斯劳伏特 科利·W·凯勒
申请人
申请人地址
美国伊利诺斯
IPC主分类号
H01L218246
IPC分类号
H01L2722
代理机构
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人
李德山
法律状态
专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
高密度存储器单元结构 [P]. 
李伟建 ;
裴成文 ;
王平川 .
中国专利 :CN107230679A ,2017-10-03
[2]
存储器内计算、高密度阵列 [P]. 
A·格罗弗 ;
T·罗伊 .
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[3]
高密度半导体存储器单元和存储器阵列 [P]. 
J·Z·彭 .
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[4]
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杨宇航 ;
蔡一茂 ;
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[5]
高密度MOSFET阵列及其制备方法 [P]. 
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金钟五 ;
常虹 .
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[6]
一种高密度存储阵列 [P]. 
王宗巍 ;
杨宇航 ;
蔡一茂 ;
黄如 .
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[7]
高密度动态随机存取存储单元 [P]. 
马萨阿基·耶雪罗 ;
西杰基·莫雷纳加 ;
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[8]
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文清·吴 ;
肯德里克·海·良·袁 ;
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[9]
一种改进的高密度存储单元 [P]. 
里卡德·福斯 ;
科马克·奥康奈尔 .
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[10]
高密度分裂栅存储器单元 [P]. 
N.杜 ;
X.刘 ;
V.蒂瓦里 ;
H.V.陈 .
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