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半导体器件和半导体器件的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110965694.2
申请日
:
2021-08-23
公开(公告)号
:
CN114121862A
公开(公告)日
:
2022-03-01
发明(设计)人
:
石野宽
三瓶宏和
申请人
:
申请人地址
:
日本爱知县
IPC主分类号
:
H01L23495
IPC分类号
:
H01L2148
H01L23367
代理机构
:
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
:
王琼先
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-03-01
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件和半导体器件制造方法
[P].
森日出树
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
森日出树
.
中国专利
:CN101661935B
,2010-03-03
[2]
半导体器件制造方法和半导体器件
[P].
野濑幸则
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
住友电工光电子器件创新株式会社
住友电工光电子器件创新株式会社
野濑幸则
.
日本专利
:CN110600378B
,2024-01-19
[3]
半导体器件制造方法和半导体器件
[P].
野濑幸则
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
野濑幸则
.
中国专利
:CN110600378A
,2019-12-20
[4]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
堰和彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
堰和彦
.
日本专利
:CN117894849A
,2024-04-16
[5]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
山田敦史
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
山田敦史
.
中国专利
:CN102646581A
,2012-08-22
[6]
半导体器件和半导体器件的制造方法
[P].
天羽生淳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
天羽生淳
.
日本专利
:CN110246845B
,2024-06-21
[7]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
中山达峰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
中山达峰
;
宫本广信
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
宫本广信
.
中国专利
:CN106024879B
,2016-10-12
[8]
制造半导体器件的方法和半导体器件
[P].
安藤裕二
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
安藤裕二
.
中国专利
:CN104465745A
,2015-03-25
[9]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
堰和彦
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
堰和彦
.
中国专利
:CN110556293A
,2019-12-10
[10]
半导体器件和制造半导体器件的方法
[P].
山川真弥
论文数:
0
引用数:
0
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0
山川真弥
.
中国专利
:CN101542699A
,2009-09-23
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