半导体器件和半导体器件的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN202110965694.2
申请日
2021-08-23
公开(公告)号
CN114121862A
公开(公告)日
2022-03-01
发明(设计)人
石野宽 三瓶宏和
申请人
申请人地址
日本爱知县
IPC主分类号
H01L23495
IPC分类号
H01L2148 H01L23367
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
王琼先
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件和半导体器件制造方法 [P]. 
森日出树 .
中国专利 :CN101661935B ,2010-03-03
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半导体器件制造方法和半导体器件 [P]. 
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半导体器件制造方法和半导体器件 [P]. 
野濑幸则 .
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半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
堰和彦 .
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半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
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半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
天羽生淳 .
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半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
中山达峰 ;
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制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
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半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
堰和彦 .
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半导体器件和制造半导体器件的方法 [P]. 
山川真弥 .
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