一种多熔区高频加热区域熔炼装置

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专利类型
实用新型
申请号
CN201220626613.2
申请日
2012-11-23
公开(公告)号
CN202913039U
公开(公告)日
2013-05-01
发明(设计)人
李贻成 乐卫和 罗鲲 喻亮 甘平 章长生 刘越 梁敏炎
申请人
申请人地址
541004 广西壮族自治区桂林市建干路12号
IPC主分类号
C22B902
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
专利权的终止
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共 50 条
[1]
一种利用电磁屏蔽限制熔区的金属高纯提炼方法 [P]. 
罗鲲 ;
李贻成 ;
章长生 ;
喻亮 ;
甘平 ;
乐卫和 ;
李小刚 ;
刘越 .
中国专利 :CN102965518A ,2013-03-13
[2]
一种区熔单晶炉高频加热掺杂线圈 [P]. 
王遵义 ;
刘凯 ;
吴磊 ;
边智学 ;
孙健 ;
孙晨光 ;
王彦君 .
中国专利 :CN214694453U ,2021-11-12
[3]
一种用于改善区熔热场的高频加热线圈 [P]. 
陈贵锋 ;
艾行天 ;
张辉 ;
孙健 ;
孙晨光 .
中国专利 :CN220292205U ,2024-01-02
[4]
一种熔区可调的电熔镁熔炼炉 [P]. 
栾禄祥 ;
屈秋霞 ;
栾禄毅 ;
栾斯童 ;
娄云天 ;
栾集程 .
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[5]
一种高频电磁熔炼装置 [P]. 
李根有 .
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[6]
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李强 ;
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[7]
一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈 [P]. 
韩海建 ;
梁书正 ;
梁开金 ;
闫志瑞 ;
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[8]
一种区域熔炼装置的均温结构 [P]. 
傅干华 ;
彭寿 ;
潘锦功 ;
马立云 ;
覃士敏 ;
郑林 ;
钟光平 ;
王大宽 ;
孙艳容 ;
南长斌 .
中国专利 :CN211051465U ,2020-07-21
[9]
一种12管区熔锗锭熔炼装置 [P]. 
崔丁方 ;
彭明清 ;
廖吉伟 ;
李恒方 ;
陈知江 ;
匡子登 ;
陈元欣 ;
蔡文红 ;
何斌 ;
子光平 ;
缪彦美 ;
王侃 ;
何兴军 ;
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[10]
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胡运德 ;
葛谋 .
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