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一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN200920277758.4
申请日：
2009-12-08
公开(公告)号：
CN201545933U
公开(公告)日：
2010-08-11
发明(设计)人：
韩海建 梁书正 梁开金 闫志瑞 谷宇恒
申请人：
申请人地址：
100088 北京市新街口外大街2号
IPC主分类号：
C30B1324
IPC分类号：
代理机构：
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100
代理人：
郭佩兰
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2015-07-29 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101718633056 IPC(主分类):C30B 13/24 专利号:ZL2009202777584 变更事项:专利权人 变更前权利人:有研新材料股份有限公司 变更后权利人:有研半导体材料有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:100088 北京市新街口外大街2号 变更后权利人:101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧 变更事项:专利权人 变更前权利人:有研半导体材料有限公司 变更后权利人:无 登记生效日:20150708
2010-08-11 授权 授权
2015-06-03 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101715853329 IPC(主分类):C30B 13/24 专利号:ZL2009202777584 变更事项:专利权人 变更前:有研新材料股份有限公司 变更后:有研新材料股份有限公司 变更事项:地址 变更前:100088 北京市新街口外大街2号 变更后:100088 北京市新街口外大街2号 变更事项:专利权人 变更前:国泰半导体材料有限公司 变更后:有研半导体材料有限公司
2019-12-31 专利权的终止 专利权有效期届满 IPC(主分类):C30B 13/24 申请日:20091208 授权公告日:20100811
2014-06-25 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101702221993 IPC(主分类):C30B 13/24 专利号:ZL2009202777584 变更事项:专利权人 变更前:有研半导体材料股份有限公司 变更后:有研新材料股份有限公司 变更事项:地址 变更前:100088 北京市新街口外大街2号 变更后:100088 北京市新街口外大街2号 变更事项:专利权人 变更前:国泰半导体材料有限公司 变更后:国泰半导体材料有限公司
2012-03-14 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101297324396 IPC(主分类):C30B 13/24 专利号:ZL2009202777584 变更事项:专利权人 变更前权利人:北京有色金属研究总院 变更后权利人:有研半导体材料股份有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:100088 北京市新街口外大街2号 变更后权利人:100088 北京市新街口外大街2号 变更事项:共同专利权人 变更前权利人:有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司 变更后权利人:国泰半导体材料有限公司 登记生效日:20120130
共 50 条
[1]
一种用于拉制4寸区熔单晶硅加热线圈 [P]. 
刘剑 .
中国专利 :CN202658266U ,2013-01-09
[2]
一种用于拉制6寸区熔单晶硅加热线圈 [P]. 
刘剑 .
中国专利 :CN202658263U ,2013-01-09
[3]
一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈 [P]. 
李聪 ;
庞炳远 ;
杨洪星 ;
张伟才 ;
郑万超 ;
杨静 ;
索开南 ;
陈晨 ;
王雄龙 .
中国专利 :CN214327965U ,2021-10-01
[4]
一种用于拉制5寸区熔单晶硅加热线圈 [P]. 
刘剑 .
中国专利 :CN202658262U ,2013-01-09
[5]
用于区熔法制备单晶硅的加热线圈 [P]. 
李聪 ;
庞炳远 ;
杨洪星 ;
张伟才 ;
郑万超 ;
杨静 ;
索开南 ;
陈晨 ;
王雄龙 .
中国专利 :CN112359411A ,2021-02-12
[6]
区熔单晶硅生长炉 [P]. 
张志新 ;
王军 ;
安桂正 .
中国专利 :CN2913391Y ,2007-06-20
[7]
一种区熔法生长单晶硅用硅籽晶夹持器 [P]. 
韩海建 ;
梁书正 ;
赵洋 ;
谷宇恒 ;
闫志瑞 .
中国专利 :CN201605348U ,2010-10-13
[8]
一种区熔法生长单晶硅过程中取单晶用的卡具 [P]. 
韩海建 ;
梁书正 ;
陈海滨 ;
闫志瑞 ;
方峰 ;
沈晓东 ;
叶松芳 ;
肖清华 .
中国专利 :CN202000021U ,2011-10-05
[9]
单晶硅生长用加热器及单晶硅生长装置 [P]. 
曾宏强 ;
关树军 ;
路建华 .
中国专利 :CN217351614U ,2022-09-02
[10]
一种用于拉制区熔硅单晶硅棒的高频线圈 [P]. 
刘朝轩 .
中国专利 :CN204162830U ,2015-02-18
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