用于区熔法制备单晶硅的加热线圈

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011426075.8

申请日：

2020-12-09

公开(公告)号：

CN112359411A

公开(公告)日：

2021-02-12

发明(设计)人：

李聪庞炳远杨洪星张伟才郑万超杨静索开南陈晨王雄龙

申请人：

申请人地址：

300220 天津市河西区洞庭路26号

IPC主分类号：

C30B1320

IPC分类号：

C30B2906 H05B636

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

李美英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 13/20 申请日:20201209
2021-02-12	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈 [P].

李聪 ;

庞炳远 ;

杨洪星 ;

张伟才 ;

郑万超 ;

杨静 ;

索开南 ;

陈晨 ;

王雄龙 .

中国专利 :CN214327965U ,2021-10-01

[2]

一种用于区熔法制备硅单晶的加热线圈 [P].

刘嘉 ;

张雪囡 ;

王彦君 ;

王遵义 ;

孙健 ;

刘铮 ;

涂颂昊 ;

乔柳 ;

冯啸桐 .

中国专利 :CN203049080U ,2013-07-10

[3]

一种用于拉制4寸区熔单晶硅加热线圈 [P].

刘剑 .

中国专利 :CN202658266U ,2013-01-09

[4]

一种用于拉制6寸区熔单晶硅加热线圈 [P].

刘剑 .

中国专利 :CN202658263U ,2013-01-09

[5]

一种用于拉制5寸区熔单晶硅加热线圈 [P].

刘剑 .

中国专利 :CN202658262U ,2013-01-09

[6]

一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈 [P].

韩海建 ;

梁书正 ;

梁开金 ;

闫志瑞 ;

谷宇恒 .

中国专利 :CN201545933U ,2010-08-11

[7]

区熔单晶硅炉 [P].

张志新 ;

王军 ;

安桂正 .

中国专利 :CN2913390Y ,2007-06-20

[8]

一种用于多晶硅区熔的加热线圈 [P].

刘嘉 ;

张雪囡 ;

王彦君 ;

王遵义 ;

孙健 ;

刘铮 ;

涂颂昊 ;

乔柳 ;

冯啸桐 .

中国专利 :CN203049091U ,2013-07-10

[9]

一种颗粒硅直接用于区熔法制备单晶硅的装置 [P].

马新星 ;

王军磊 ;

王艺澄 .

中国专利 :CN217869173U ,2022-11-22

[10]

一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈 [P].

庞炳远 ;

闫萍 ;

张殿朝 ;

索开南 .

中国专利 :CN201620202U ,2010-11-03

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