一种用于拉制6寸区熔单晶硅加热线圈

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220235943.9

申请日：

2012-05-24

公开(公告)号：

CN202658263U

公开(公告)日：

2013-01-09

发明(设计)人：

刘剑

申请人：

申请人地址：

332000 江西省九江市濂溪大道88号

IPC主分类号：

C30B1320

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 13/20 申请日:20120524 授权公告日:20130109 终止日期:20170524
2013-01-09	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用于拉制4寸区熔单晶硅加热线圈 [P].

刘剑 .

中国专利 :CN202658266U ,2013-01-09

[2]

一种用于拉制5寸区熔单晶硅加热线圈 [P].

刘剑 .

中国专利 :CN202658262U ,2013-01-09

[3]

一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈 [P].

李聪 ;

庞炳远 ;

杨洪星 ;

张伟才 ;

郑万超 ;

杨静 ;

索开南 ;

陈晨 ;

王雄龙 .

中国专利 :CN214327965U ,2021-10-01

[4]

用于区熔法制备单晶硅的加热线圈 [P].

李聪 ;

庞炳远 ;

杨洪星 ;

张伟才 ;

郑万超 ;

杨静 ;

索开南 ;

陈晨 ;

王雄龙 .

中国专利 :CN112359411A ,2021-02-12

[5]

一种用于拉制六英寸区熔硅单晶的加热线圈 [P].

李明飞 ;

闫志瑞 ;

杨凯 ;

陈海滨 .

中国专利 :CN203602749U ,2014-05-21

[6]

一种区熔单晶硅棒拉制炉 [P].

刘芳 ;

张琴 ;

李向东 .

中国专利 :CN222684838U ,2025-03-28

[7]

一种区熔法生长单晶硅用高频加热线圈 [P].

韩海建 ;

梁书正 ;

梁开金 ;

闫志瑞 ;

谷宇恒 .

中国专利 :CN201545933U ,2010-08-11

[8]

一种用于拉制区熔硅单晶硅棒的高频线圈 [P].

刘朝轩 .

中国专利 :CN204162830U ,2015-02-18

[9]

一种用于拉制区熔单晶硅的反射器 [P].

李明飞 ;

闫志瑞 ;

王永涛 ;

陈海滨 ;

李宗峰 ;

李磊 .

中国专利 :CN108193262A ,2018-06-22

[10]

一种使用区熔法拉制单晶硅棒的高频线圈 [P].

刘朝轩 .

中国专利 :CN204325540U ,2015-05-13

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