一种用于拉制区熔单晶硅的反射器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611125259.4

申请日：

2016-12-08

公开(公告)号：

CN108193262A

公开(公告)日：

2018-06-22

发明(设计)人：

李明飞闫志瑞王永涛陈海滨李宗峰李磊

申请人：

申请人地址：

101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧

IPC主分类号：

C30B1320

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100

代理人：

刘秀青;熊国裕

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 13/20 申请日:20161208
2018-06-22	公开	公开
2021-05-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 13/20 申请公布日:20180622

共 50 条

[1]

一种区熔单晶硅棒拉制炉 [P].

刘芳 ;

张琴 ;

李向东 .

中国专利 :CN222684838U ,2025-03-28

[2]

区熔单晶硅炉 [P].

张志新 ;

王军 ;

安桂正 .

中国专利 :CN2913390Y ,2007-06-20

[3]

一种用于拉制4寸区熔单晶硅加热线圈 [P].

刘剑 .

中国专利 :CN202658266U ,2013-01-09

[4]

一种用于拉制6寸区熔单晶硅加热线圈 [P].

刘剑 .

中国专利 :CN202658263U ,2013-01-09

[5]

一种用于拉制5寸区熔单晶硅加热线圈 [P].

刘剑 .

中国专利 :CN202658262U ,2013-01-09

[6]

一种用于拉制区熔硅单晶硅棒的高频线圈 [P].

刘朝轩 .

中国专利 :CN204162830U ,2015-02-18

[7]

区熔单晶硅生长炉 [P].

张志新 ;

王军 ;

安桂正 .

中国专利 :CN2913391Y ,2007-06-20

[8]

一种拉制高电阻率区熔单晶硅的工艺方法 [P].

郑万超 ;

张伟才 ;

冯旭 ;

张瀚文 ;

李聪 ;

刘洪 ;

李明佳 .

中国专利 :CN113943973A ,2022-01-18

[9]

一种区熔单晶硅的制备方法 [P].

关文涛 ;

张遵 ;

刘强强 ;

常青 ;

王春静 ;

王祥祥 .

中国专利 :CN114540942A ,2022-05-27

[10]

一种单晶硅棒拉制装置和单晶硅棒拉制方法 [P].

邓浩 ;

文永飞 ;

马少林 ;

周锐 ;

李侨 ;

丁彪 .

中国专利 :CN117626404A ,2024-03-01

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