一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200920351265.0

申请日：

2009-12-29

公开(公告)号：

CN201620202U

公开(公告)日：

2010-11-03

发明(设计)人：

庞炳远闫萍张殿朝索开南

申请人：

申请人地址：

300220 天津市河西区洞庭路26号

IPC主分类号：

C30B1316

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

信息产业部电子专利中心 11010

代理人：

郭禾

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101647545763 IPC(主分类):C30B 13/16 专利号:ZL2009203512650 申请日:20091229 授权公告日:20101103 终止日期:20141229
2010-11-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用于区熔法制备硅单晶的加热线圈 [P].

刘嘉 ;

张雪囡 ;

王彦君 ;

王遵义 ;

孙健 ;

刘铮 ;

涂颂昊 ;

乔柳 ;

冯啸桐 .

中国专利 :CN203049080U ,2013-07-10

[2]

一种用于硅单晶制备的区熔线圈 [P].

王遵义 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

刘嘉 ;

孙健 ;

刘铮 ;

涂颂昊 ;

乔柳 ;

冯啸桐 .

中国专利 :CN203049078U ,2013-07-10

[3]

一种真空区熔硅单晶生长用加热线圈的表面预处理方法 [P].

闫萍 ;

庞炳远 ;

刘洪 .

中国专利 :CN106498495A ,2017-03-15

[4]

一种用于拉制六英寸区熔硅单晶的加热线圈 [P].

李明飞 ;

闫志瑞 ;

杨凯 ;

陈海滨 .

中国专利 :CN203602749U ,2014-05-21

[5]

一种真空气氛下制备高阻区熔硅单晶的加热线圈装置 [P].

蒋娜 ;

邓良平 ;

程宇 ;

朱铭 ;

谢江帆 .

中国专利 :CN101787559A ,2010-07-28

[6]

一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈 [P].

李聪 ;

庞炳远 ;

杨洪星 ;

张伟才 ;

郑万超 ;

杨静 ;

索开南 ;

陈晨 ;

王雄龙 .

中国专利 :CN214327965U ,2021-10-01

[7]

一种用于多晶硅区熔的加热线圈 [P].

刘嘉 ;

张雪囡 ;

王彦君 ;

王遵义 ;

孙健 ;

刘铮 ;

涂颂昊 ;

乔柳 ;

冯啸桐 .

中国专利 :CN203049091U ,2013-07-10

[8]

用于区熔法制备单晶硅的加热线圈 [P].

李聪 ;

庞炳远 ;

杨洪星 ;

张伟才 ;

郑万超 ;

杨静 ;

索开南 ;

陈晨 ;

王雄龙 .

中国专利 :CN112359411A ,2021-02-12

[9]

一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈 [P].

张志富 ;

王遵义 ;

刘凯 ;

吴磊 ;

李小龙 ;

陈玉桥 ;

程亚胜 ;

王彦君 .

中国专利 :CN212955435U ,2021-04-13

[10]

一种改善区熔硅单晶硅生长的热场 [P].

石海涛 ;

刘铮 ;

涂颂昊 ;

王遵义 ;

刘琨 ;

孙昊 ;

由佰玲 ;

张雪囡 ;

王彦君 .

中国专利 :CN205115663U ,2016-03-30

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