一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021311464.1

申请日：

2020-07-07

公开(公告)号：

CN212955435U

公开(公告)日：

2021-04-13

发明(设计)人：

张志富王遵义刘凯吴磊李小龙陈玉桥程亚胜王彦君

申请人：

申请人地址：

214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道

IPC主分类号：

C30B1312

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人：

薛萌萌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种改善区熔径向电阻率均匀性的线圈结构 [P].

娄中士 ;

王遵义 ;

刘铮 ;

由佰玲 ;

张雪囡 ;

李立伟 ;

乔柳 .

中国专利 :CN205974742U ,2017-02-22

[2]

一种改善区熔径向电阻率均匀性的线圈结构 [P].

娄中士 ;

王遵义 ;

刘铮 ;

由佰玲 ;

张雪囡 ;

李立伟 ;

乔柳 .

中国专利 :CN106087035B ,2016-11-09

[3]

一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置 [P].

娄中士 ;

刘铮 ;

王遵义 ;

郝大维 ;

刘琨 ;

王彦君 ;

李立伟 .

中国专利 :CN206916251U ,2018-01-23

[4]

一种提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的方法 [P].

张雪囡 ;

王彦君 ;

李建宏 ;

邬丽丽 ;

陈强 ;

苗向春 ;

李军 .

中国专利 :CN102586859A ,2012-07-18

[5]

一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置 [P].

娄中士 ;

刘铮 ;

王遵义 ;

郝大维 ;

刘琨 ;

王彦君 ;

李立伟 .

中国专利 :CN106995935A ,2017-08-01

[6]

一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环 [P].

刘铮 ;

王遵义 ;

娄中士 ;

韩暐 ;

涂颂昊 ;

孙昊 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

由佰玲 .

中国专利 :CN205035488U ,2016-02-17

[7]

一种提高区熔硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法 [P].

李建宏 ;

张雪囡 ;

菅瑞娟 ;

王遵义 ;

刘铮 ;

王刚 ;

赵宏波 .

中国专利 :CN102534750A ,2012-07-04

[8]

一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环 [P].

刘铮 ;

王遵义 ;

娄中士 ;

韩暐 ;

涂颂昊 ;

孙昊 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

由佰玲 .

中国专利 :CN105177699A ,2015-12-23

[9]

一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法 [P].

张雪囡 ;

菅瑞娟 ;

徐强 ;

李建宏 ;

王彦君 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102534753A ,2012-07-04

[10]

用于改善直拉硅单晶电阻率均匀性的导流筒结构 [P].

娄中士 ;

李亚哲 ;

马萌 ;

孙昊 ;

孙毅 .

中国专利 :CN204918835U ,2015-12-30

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