一种提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210061384.9

申请日：

2012-03-10

公开(公告)号：

CN102586859A

公开(公告)日：

2012-07-18

发明(设计)人：

张雪囡王彦君李建宏邬丽丽陈强苗向春李军

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区华苑产业园区（环外）海泰东路12号

IPC主分类号：

C30B1330

IPC分类号：

C30B2906

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

胡京生

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101327312671 IPC(主分类):C30B 13/30 专利申请号:2012100613849 申请日:20120310
2015-05-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101714725319 IPC(主分类):C30B 13/30 专利申请号:2012100613849 申请公布日:20120718
2012-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种提高区熔硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法 [P].

李建宏 ;

张雪囡 ;

菅瑞娟 ;

王遵义 ;

刘铮 ;

王刚 ;

赵宏波 .

中国专利 :CN102534750A ,2012-07-04

[2]

一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法 [P].

张雪囡 ;

菅瑞娟 ;

徐强 ;

李建宏 ;

王彦君 ;

沈浩平 .

中国专利 :CN102534753A ,2012-07-04

[3]

一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法 [P].

张雪囡 ;

徐强 ;

陈澄 ;

宋都明 ;

王林 ;

邬丽丽 ;

苗向春 .

中国专利 :CN102560626A ,2012-07-11

[4]

一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环 [P].

刘铮 ;

王遵义 ;

娄中士 ;

韩暐 ;

涂颂昊 ;

孙昊 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

由佰玲 .

中国专利 :CN105177699A ,2015-12-23

[5]

一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环 [P].

刘铮 ;

王遵义 ;

娄中士 ;

韩暐 ;

涂颂昊 ;

孙昊 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

由佰玲 .

中国专利 :CN205035488U ,2016-02-17

[6]

一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈 [P].

张志富 ;

王遵义 ;

刘凯 ;

吴磊 ;

李小龙 ;

陈玉桥 ;

程亚胜 ;

王彦君 .

中国专利 :CN212955435U ,2021-04-13

[7]

一种提高直拉硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法 [P].

菅瑞娟 ;

张雪囡 ;

李建宏 ;

李亚哲 ;

刘一波 ;

宋都明 .

中国专利 :CN102586862A ,2012-07-18

[8]

一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置 [P].

娄中士 ;

刘铮 ;

王遵义 ;

郝大维 ;

刘琨 ;

王彦君 ;

李立伟 .

中国专利 :CN106995935A ,2017-08-01

[9]

一种改善区熔径向电阻率均匀性的线圈结构 [P].

娄中士 ;

王遵义 ;

刘铮 ;

由佰玲 ;

张雪囡 ;

李立伟 ;

乔柳 .

中国专利 :CN106087035B ,2016-11-09

[10]

一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置 [P].

娄中士 ;

刘铮 ;

王遵义 ;

郝大维 ;

刘琨 ;

王彦君 ;

李立伟 .

中国专利 :CN206916251U ,2018-01-23

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