一种改善区熔径向电阻率均匀性的线圈结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610626885.5
申请日
2016-07-29
公开(公告)号
CN106087035B
公开(公告)日
2016-11-09
发明(设计)人
娄中士 王遵义 刘铮 由佰玲 张雪囡 李立伟 乔柳
申请人
申请人地址
300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区(环外)海泰东路12号内
IPC主分类号
C30B1320
IPC分类号
C30B2906 H05B636 H05B642
代理机构
天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211
代理人
刘莹
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
一种改善区熔径向电阻率均匀性的线圈结构 [P]. 
娄中士 ;
王遵义 ;
刘铮 ;
由佰玲 ;
张雪囡 ;
李立伟 ;
乔柳 .
中国专利 :CN205974742U ,2017-02-22
[2]
一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈 [P]. 
张志富 ;
王遵义 ;
刘凯 ;
吴磊 ;
李小龙 ;
陈玉桥 ;
程亚胜 ;
王彦君 .
中国专利 :CN212955435U ,2021-04-13
[3]
一种提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的方法 [P]. 
张雪囡 ;
王彦君 ;
李建宏 ;
邬丽丽 ;
陈强 ;
苗向春 ;
李军 .
中国专利 :CN102586859A ,2012-07-18
[4]
一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环 [P]. 
刘铮 ;
王遵义 ;
娄中士 ;
韩暐 ;
涂颂昊 ;
孙昊 ;
王彦君 ;
张雪囡 ;
由佰玲 .
中国专利 :CN205035488U ,2016-02-17
[5]
一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环 [P]. 
刘铮 ;
王遵义 ;
娄中士 ;
韩暐 ;
涂颂昊 ;
孙昊 ;
王彦君 ;
张雪囡 ;
由佰玲 .
中国专利 :CN105177699A ,2015-12-23
[6]
一种有效提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的直拉区熔气掺法 [P]. 
张雪囡 ;
菅瑞娟 ;
徐强 ;
李建宏 ;
王彦君 ;
沈浩平 .
中国专利 :CN102534753A ,2012-07-04
[7]
一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置 [P]. 
娄中士 ;
刘铮 ;
王遵义 ;
郝大维 ;
刘琨 ;
王彦君 ;
李立伟 .
中国专利 :CN206916251U ,2018-01-23
[8]
一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置 [P]. 
娄中士 ;
刘铮 ;
王遵义 ;
郝大维 ;
刘琨 ;
王彦君 ;
李立伟 .
中国专利 :CN106995935A ,2017-08-01
[9]
一种提高区熔硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法 [P]. 
李建宏 ;
张雪囡 ;
菅瑞娟 ;
王遵义 ;
刘铮 ;
王刚 ;
赵宏波 .
中国专利 :CN102534750A ,2012-07-04
[10]
用于改善直拉硅单晶电阻率均匀性的导流筒结构 [P]. 
娄中士 ;
李亚哲 ;
马萌 ;
孙昊 ;
孙毅 .
中国专利 :CN204918835U ,2015-12-30