一种用于硅单晶制备的区熔线圈

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220640902.8

申请日：

2012-11-28

公开(公告)号：

CN203049078U

公开(公告)日：

2013-07-10

发明(设计)人：

王遵义王彦君张雪囡刘嘉孙健刘铮涂颂昊乔柳冯啸桐

申请人：

申请人地址：

300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区（环外）海泰东路12号

IPC主分类号：

C30B1320

IPC分类号：

代理机构：

天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211

代理人：

李莉华

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

一种用于区熔法制备硅单晶的加热线圈 [P].

刘嘉 ;

张雪囡 ;

王彦君 ;

王遵义 ;

孙健 ;

刘铮 ;

涂颂昊 ;

乔柳 ;

冯啸桐 .

中国专利 :CN203049080U ,2013-07-10

[2]

一种用于生长真空区熔硅单晶的加热线圈 [P].

庞炳远 ;

闫萍 ;

张殿朝 ;

索开南 .

中国专利 :CN201620202U ,2010-11-03

[3]

一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈 [P].

张志富 ;

王遵义 ;

刘凯 ;

吴磊 ;

李小龙 ;

陈玉桥 ;

程亚胜 ;

王彦君 .

中国专利 :CN212955435U ,2021-04-13

[4]

一种制备区熔单晶的凸台线圈 [P].

韩暐 ;

王遵义 ;

娄中士 ;

孙昊 ;

杨旭洲 ;

涂颂昊 ;

刘铮 ;

张雪囡 ;

王彦君 ;

由佰玲 .

中国专利 :CN205035491U ,2016-02-17

[5]

一种用于拉制六英寸区熔硅单晶的加热线圈 [P].

李明飞 ;

闫志瑞 ;

杨凯 ;

陈海滨 .

中国专利 :CN203602749U ,2014-05-21

[6]

一种区熔硅单晶的加持结构 [P].

郝大维 ;

张志富 ;

王克旭 ;

李皓 ;

吴峰 ;

楚占斌 ;

王彦君 .

中国专利 :CN211256150U ,2020-08-14

[7]

一种改善区熔硅单晶硅生长的热场 [P].

石海涛 ;

刘铮 ;

涂颂昊 ;

王遵义 ;

刘琨 ;

孙昊 ;

由佰玲 ;

张雪囡 ;

王彦君 .

中国专利 :CN205115663U ,2016-03-30

[8]

一种区熔气掺单晶用吹气线圈 [P].

韩暐 ;

王遵义 ;

娄中士 ;

孙昊 ;

杨旭洲 ;

涂颂昊 ;

刘铮 ;

张雪囡 ;

王彦君 ;

由佰玲 .

中国专利 :CN205115662U ,2016-03-30

[9]

一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈 [P].

李聪 ;

庞炳远 ;

杨洪星 ;

张伟才 ;

郑万超 ;

杨静 ;

索开南 ;

陈晨 ;

王雄龙 .

中国专利 :CN214327965U ,2021-10-01

[10]

一种制备区熔单晶的凸台线圈 [P].

韩暐 ;

王遵义 ;

娄中士 ;

孙昊 ;

杨旭洲 ;

涂颂昊 ;

刘铮 ;

张雪囡 ;

王彦君 ;

由佰玲 .

中国专利 :CN105154967A ,2015-12-16

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-31	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 13/20 登记生效日:20191212 变更事项:专利权人变更前权利人:天津中环领先材料技术有限公司变更后权利人:中环领先半导体材料有限公司变更事项:地址变更前权利人:300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号变更后权利人:214200 江苏省无锡市宜兴经济技术开发区东氿大道变更事项:共同专利权人变更后权利人:天津中环领先材料技术有限公司
2013-07-10	授权	授权
2022-12-16	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C30B 13/20 申请日:20121128 授权公告日:20130710
2018-11-23	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 13/20 登记生效日:20181106 变更事项:专利权人变更前权利人:天津市环欧半导体材料技术有限公司变更后权利人:天津中环领先材料技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:300384 天津市滨海新区高新区华苑产业园区（环外）海泰东路12号变更后权利人:300384 天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号