一种基于SiC MOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710565467.4

申请日：

2017-07-12

公开(公告)号：

CN107171292B

公开(公告)日：

2017-09-15

发明(设计)人：

李辉廖兴林黄樟坚谢翔杰王坤姚然胡姚刚何蓓

申请人：

申请人地址：

400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号

IPC主分类号：

H02H720

IPC分类号：

H02H904

代理机构：

北京同恒源知识产权代理有限公司 11275

代理人：

赵荣之

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H02H 7/20 申请日:20170712
2019-06-07	授权	授权
2017-09-15	公开	公开
2021-02-26	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H02H 7/20 登记生效日:20210210 变更事项:专利权人变更前权利人:重庆大学变更后权利人:重庆平创半导体研究院有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号变更后权利人:402760 重庆市璧山区璧泉街道东林大道92号

共 50 条

[1]

一种GaN直流固态断路器关断过电压抑制电路及方法 [P].

陈健 ;

宋文胜 ;

宋猛猛 ;

谢东 ;

李旭 .

中国专利 :CN120545937A ,2025-08-26

[2]

一种主动抑制过电压的限流式固态断路器 [P].

卢其威 ;

高志宣 ;

滕尚甫 ;

王聪 ;

程红 ;

邹甲 ;

雷婷 .

中国专利 :CN206820455U ,2017-12-29

[3]

一种开关器件的关断过电压抑制电路 [P].

王岩 ;

王杰 ;

何杰 ;

范声芳 .

中国专利 :CN117411297A ,2024-01-16

[4]

一种基于SiC JFET的双向直流固态断路器 [P].

孙孝峰 ;

王蕾 ;

王雪琦 ;

孙祥玉 .

中国专利 :CN114256820A ,2022-03-29

[5]

一种抑制IGBT关断过电压的方法 [P].

陈程 ;

蔡俊 ;

谢旭 ;

王文焕 .

中国专利 :CN111010157A ,2020-04-14

[6]

一种具有过电压抑制功能的固态断路器 [P].

张明锐 ;

金鑫 .

中国专利 :CN102593809A ,2012-07-18

[7]

一种基于SiC MOSFET的固态直流断路器及其控制方法 [P].

任宇 ;

杨旭 ;

张帆 ;

王来利 .

中国专利 :CN106159882A ,2016-11-23

[8]

单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器及配电系统 [P].

辛振 ;

岳远省 ;

薛聚 ;

陈建良 .

中国专利 :CN115133506B ,2025-04-29

[9]

单驱动控制的串联SiC MOSFET直流固态断路器及配电系统 [P].

辛振 ;

岳远省 ;

薛聚 ;

陈建良 .

中国专利 :CN115133506A ,2022-09-30

[10]

一种直流断路器限制对地的过电压装置 [P].

阮绵晖 ;

裴星宇 ;

李颖 ;

张超树 ;

邓小文 ;

陈锐 ;

涂小涛 ;

董华梁 ;

张志成 .

中国专利 :CN211018266U ,2020-07-14

← 1 2 3 4 5 →