一种抑制IGBT关断过电压的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201911356560.X
申请日
2019-12-25
公开(公告)号
CN111010157A
公开(公告)日
2020-04-14
发明(设计)人
陈程 蔡俊 谢旭 王文焕
申请人
申请人地址
232001 安徽省淮南市山南新区泰丰大街168号
IPC主分类号
H03K1708
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
实质审查的生效
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共 50 条
[1]
一种动态抑制功率半导体器件关断过电压的电路 [P]. 
蔡俊 ;
陈程 ;
王文焕 ;
刘国巍 .
中国专利 :CN111030070A ,2020-04-17
[2]
一种IGBT关断过电压有源钳位电路 [P]. 
王武 ;
张元敏 ;
罗书克 .
中国专利 :CN204906177U ,2015-12-23
[3]
一种开关器件的关断过电压抑制电路 [P]. 
王岩 ;
王杰 ;
何杰 ;
范声芳 .
中国专利 :CN117411297A ,2024-01-16
[4]
一种电压驱动型功率半导体器件关断过电压保护电路 [P]. 
陈燕平 ;
忻力 ;
荣智林 ;
李华 .
中国专利 :CN101174788A ,2008-05-07
[5]
一种GaN直流固态断路器关断过电压抑制电路及方法 [P]. 
陈健 ;
宋文胜 ;
宋猛猛 ;
谢东 ;
李旭 .
中国专利 :CN120545937A ,2025-08-26
[6]
可关断换流阀及用于可关断换流阀的过电压抑制方法 [P]. 
周晨 ;
刘磊 ;
黄华 ;
谢晔源 ;
卢宇 ;
方太勋 ;
董云龙 .
中国专利 :CN119231907A ,2024-12-31
[7]
可关断换流阀及用于可关断换流阀的过电压抑制方法 [P]. 
周晨 ;
刘磊 ;
黄华 ;
谢晔源 ;
卢宇 ;
方太勋 ;
董云龙 .
中国专利 :CN119231907B ,2025-09-05
[8]
门极可关断晶闸管关断过电压低损耗吸收电路 [P]. 
刘文华 ;
梁旭 .
中国专利 :CN1267962A ,2000-09-27
[9]
一种基于SiC MOSFET直流固态断路器抑制关断过电压的装置 [P]. 
李辉 ;
廖兴林 ;
黄樟坚 ;
谢翔杰 ;
王坤 ;
姚然 ;
胡姚刚 ;
何蓓 .
中国专利 :CN107171292B ,2017-09-15
[10]
电机过电压抑制电路 [P]. 
樊二珂 ;
陈彬 ;
刘合松 ;
高成海 .
中国专利 :CN215956302U ,2022-03-04