掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780050886.2

申请日：

2017-08-02

公开(公告)号：

CN109643058A

公开(公告)日：

2019-04-16

发明(设计)人：

宍户博明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

G03F150

IPC分类号：

G03F154 G03F720

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

朴渊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-16	公开	公开
2019-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 1/50 申请日:20170802
2022-03-29	授权	授权

共 50 条

[1]

掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P].

宍户博明 .

日本专利 :CN114609856B ,2025-11-25

[2]

掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P].

宍户博明 .

中国专利 :CN114609856A ,2022-06-10

[3]

掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P].

宍户博明 .

中国专利 :CN114675486A ,2022-06-28

[4]

掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P].

宍户博明 .

日本专利 :CN114675486B ,2025-12-02

[5]

掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P].

谷口和丈 ;

宍户博明 .

中国专利 :CN110603489B ,2019-12-20

[6]

掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P].

谷口和丈 ;

宍户博明 .

日本专利 :CN115933308B ,2025-08-26

[7]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

桥本雅广 ;

宍户博明 .

中国专利 :CN110770652A ,2020-02-07

[8]

掩模坯料、转印用掩模以及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

宍户博明 .

中国专利 :CN111133379A ,2020-05-08

[9]

掩模坯料、转印用掩模以及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

宍户博明 .

日本专利 :CN111133379B ,2024-03-22

[10]

掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法 [P].

前田仁 ;

宍户博明 ;

桥本雅广 .

中国专利 :CN112189167A ,2021-01-05

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