掩模坯料、转印用掩模以及半导体器件的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201880061746.X
申请日
2018-09-06
公开(公告)号
CN111133379B
公开(公告)日
2024-03-22
发明(设计)人
前田仁 宍户博明
申请人
HOYA株式会社
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
G03F1/32
IPC分类号
G01N23/2258 G03F1/58
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
曲天佐
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
掩模坯料、转印用掩模以及半导体器件的制造方法 [P]. 
前田仁 ;
宍户博明 .
中国专利 :CN111133379A ,2020-05-08
[2]
掩模坯料、转印用掩模的制造方法、以及半导体器件的制造方法 [P]. 
野泽顺 ;
大久保亮 ;
宍户博明 .
中国专利 :CN110383167B ,2019-10-25
[3]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
宍户博明 .
中国专利 :CN109643058A ,2019-04-16
[4]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
宍户博明 .
中国专利 :CN114675486A ,2022-06-28
[5]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
宍户博明 .
日本专利 :CN114609856B ,2025-11-25
[6]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
谷口和丈 ;
宍户博明 .
中国专利 :CN110603489B ,2019-12-20
[7]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
宍户博明 .
中国专利 :CN114609856A ,2022-06-10
[8]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
宍户博明 .
日本专利 :CN114675486B ,2025-12-02
[9]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
谷口和丈 ;
宍户博明 .
日本专利 :CN115933308B ,2025-08-26
[10]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
大久保亮 ;
前田仁 ;
穐山圭司 ;
野泽顺 .
中国专利 :CN112740105A ,2021-04-30