半导体光源器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610072538.9

申请日：

2006-04-07

公开(公告)号：

CN100437992C

公开(公告)日：

2008-11-26

发明(设计)人：

中里典生须藤公彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2334

IPC分类号：

H01L2338 F21V2900

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

熊志诚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/34 申请日:20060407 授权公告日:20081126 终止日期:20170407
2015-04-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101713696300 IPC(主分类):H01L 23/34 专利号:ZL2006100725389 变更事项:专利权人变更前权利人:日立民用电子株式会社变更后权利人:日立麦克赛尔株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本神奈川县变更后权利人:日本大阪府登记生效日:20150325
2015-04-15	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101713693299 IPC(主分类):H01L 23/34 专利号:ZL2006100725389 变更事项:专利权人变更前:日立民用电子株式会社变更后:日立民用电子株式会社变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本神奈川县
2013-10-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101664255023 IPC(主分类):H01L 23/34 专利号:ZL2006100725389 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社日立制作所变更后权利人:日立民用电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都登记生效日:20130912
2006-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-11-26	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体光源工矿灯 [P].

杨洪武 ;

车廷建 .

中国专利 :CN201589142U ,2010-09-22

[2]

一种半导体固态光源器件 [P].

周瓴 ;

武帅 ;

高英 ;

张剑平 .

中国专利 :CN100470866C ,2008-03-12

[3]

半导体光源工矿灯 [P].

杨洪武 ;

车廷建 .

中国专利 :CN102109128A ,2011-06-29

[4]

光电子半导体器件、用于制造光电子半导体器件的方法以及具有光电子半导体器件的光源 [P].

诺温·文马尔姆 .

中国专利 :CN106415862B ,2017-02-15

[5]

半导体光源 [P].

孙宗鼎 ;

廖宏达 ;

陈志明 ;

王淑汶 .

中国专利 :CN2643486Y ,2004-09-22

[6]

半导体紫外光源器件 [P].

张剑平 ;

高英 .

中国专利 :CN103311388A ,2013-09-18

[7]

半导体器件 [P].

车南煹 ;

金容一 ;

朴永洙 .

中国专利 :CN107452763A ,2017-12-08

[8]

半导体器件 [P].

中田仗祐 .

中国专利 :CN1194727A ,1998-09-30

[9]

用于生产光电半导体器件的方法以及光电半导体器件 [P].

M·S·闻 ;

H·C·张 ;

T·刘 ;

H·Y·皮 ;

A·阿利亚斯 ;

L·T·陈 ;

Y·梁 ;

A·K·H·林 ;

W·Y·黄 .

中国专利 :CN112840469A ,2021-05-25

[10]

光学透镜、半导体发光器件和光源模组 [P].

曹春雷 ;

何伟超 .

中国专利 :CN215523166U ,2022-01-14

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