用于生产光电半导体器件的方法以及光电半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880098915.7

申请日：

2018-10-22

公开(公告)号：

CN112840469A

公开(公告)日：

2021-05-25

发明(设计)人：

M·S·闻 H·C·张 T·刘 H·Y·皮 A·阿利亚斯 L·T·陈 Y·梁 A·K·H·林 W·Y·黄

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3352

IPC分类号：

H01L3350

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

郭美琪;周学斌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/52 申请日:20181022
2021-05-25	公开	公开

共 50 条

[1]

用于生产光电半导体器件的方法以及光电半导体器件 [P].

C·K·林 ;

X·F·胡 ;

W·L·林 ;

A·C·陈 .

中国专利 :CN113544861A ,2021-10-22

[2]

用于生产光电半导体器件的方法以及光电半导体器件 [P].

C·K·林 ;

X·F·胡 ;

W·L·林 ;

A·C·陈 .

德国专利 :CN113544861B ,2024-08-27

[3]

光电子半导体器件、用于制造光电子半导体器件的方法以及具有光电子半导体器件的光源 [P].

诺温·文马尔姆 .

中国专利 :CN106415862B ,2017-02-15

[4]

光电半导体器件及光电半导体器件的制造方法 [P].

安娜·卡什普扎克-扎布洛茨卡 ;

马丁·赫茨勒 ;

坦森·瓦尔盖斯 .

德国专利 :CN119302058A ,2025-01-10

[5]

光电半导体器件、光电半导体器件阵列和制造光电半导体器件的方法 [P].

坦森·瓦尔盖斯 .

德国专利 :CN117581388A ,2024-02-20

[6]

光电半导体器件 [P].

托马斯·施瓦茨 .

德国专利 :CN120604344A ,2025-09-05

[7]

光电半导体器件 [P].

M·齐茨尔斯佩格 .

中国专利 :CN102349160A ,2012-02-08

[8]

光电半导体器件 [P].

M.齐茨尔斯佩格 .

中国专利 :CN103928593A ,2014-07-16

[9]

用于制造光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件 [P].

安德烈亚斯·普洛斯尔 .

中国专利 :CN102171845A ,2011-08-31

[10]

用于制造光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件 [P].

西梅昂·卡茨 ;

卡伊·格尔克 ;

马西莫·德拉戈 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN107810564A ,2018-03-16

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