用于生产光电半导体器件的方法以及光电半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980093797.5

申请日：

2019-03-08

公开(公告)号：

CN113544861A

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

C·K·林 X·F·胡 W·L·林 A·C·陈

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3358 H01L3350 H01L3360

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

钟茂建;刘春元

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20190308
2021-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

用于生产光电半导体器件的方法以及光电半导体器件 [P].

C·K·林 ;

X·F·胡 ;

W·L·林 ;

A·C·陈 .

德国专利 :CN113544861B ,2024-08-27

[2]

用于生产光电半导体器件的方法以及光电半导体器件 [P].

M·S·闻 ;

H·C·张 ;

T·刘 ;

H·Y·皮 ;

A·阿利亚斯 ;

L·T·陈 ;

Y·梁 ;

A·K·H·林 ;

W·Y·黄 .

中国专利 :CN112840469A ,2021-05-25

[3]

光电半导体器件、光电半导体器件阵列和制造光电半导体器件的方法 [P].

坦森·瓦尔盖斯 .

德国专利 :CN117581388A ,2024-02-20

[4]

光电半导体器件 [P].

托马斯·施瓦茨 .

德国专利 :CN120604344A ,2025-09-05

[5]

光电半导体器件 [P].

M·齐茨尔斯佩格 .

中国专利 :CN102349160A ,2012-02-08

[6]

光电半导体器件 [P].

M.齐茨尔斯佩格 .

中国专利 :CN103928593A ,2014-07-16

[7]

光电半导体器件及光电半导体器件的制造方法 [P].

安娜·卡什普扎克-扎布洛茨卡 ;

马丁·赫茨勒 ;

坦森·瓦尔盖斯 .

德国专利 :CN119302058A ,2025-01-10

[8]

光电子半导体器件和用于制造光电子半导体器件的方法 [P].

T·格布尔 ;

J·塞登法登 .

中国专利 :CN115552744A ,2022-12-30

[9]

用于制造光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件 [P].

安德烈亚斯·普洛斯尔 .

中国专利 :CN102171845A ,2011-08-31

[10]

用于制造光电子半导体器件的方法以及光电子半导体器件 [P].

西梅昂·卡茨 ;

卡伊·格尔克 ;

马西莫·德拉戈 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN107810564A ,2018-03-16

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