一种部分耗尽SOI结构的MOS晶体管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610103561.X

申请日：

2006-07-21

公开(公告)号：

CN100414714C

公开(公告)日：

2007-01-03

发明(设计)人：

张盛东李定宇韩汝琦王新安张天义

申请人：

申请人地址：

518055广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北京大学校区

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所

代理人：

邵可声

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101624598917 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL200610103561X 申请日:20060721 授权公告日:20080827 终止日期:20140721
2007-01-03	公开	公开
2007-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-08-27	授权	授权

共 50 条

[1]

一种部分耗尽的SOI MOS晶体管及其制作方法 [P].

张盛东 ;

李定宇 ;

韩汝琦 ;

王新安 ;

张天义 .

中国专利 :CN1851930A ,2006-10-25

[2]

一种部分耗尽的SOI MOS晶体管的制备方法 [P].

张盛东 ;

李定宇 ;

陈文新 ;

韩汝琦 .

中国专利 :CN100527371C ,2008-03-05

[3]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102446763A ,2012-05-09

[4]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

于伟泽 ;

尹海洲 .

中国专利 :CN102544095B ,2012-07-04

[5]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101740513B ,2010-06-16

[6]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102468167A ,2012-05-23

[7]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103187273A ,2013-07-03

[8]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

罗军 ;

赵超 ;

钟汇才 .

中国专利 :CN102569087B ,2012-07-11

[9]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

张艳红 .

中国专利 :CN101996885A ,2011-03-30

[10]

MOS晶体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102376581A ,2012-03-14

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