半导体封装件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911375530.3

申请日：

2019-12-27

公开(公告)号：

CN111383926B

公开(公告)日：

2020-07-07

发明(设计)人：

庄博尧蔡柏豪郑心圃

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2150

IPC分类号：

H01L2156 H01L2331 H01L2366 H01L2516

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-07	公开	公开
2020-07-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/50 申请日:20191227
2022-05-06	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体封装件及其形成方法 [P].

余振华 ;

叶德强 ;

普翰屏 .

中国专利 :CN108630676A ,2018-10-09

[2]

半导体封装件及其形成方法 [P].

陈洁 ;

陈英儒 ;

陈宪伟 .

中国专利 :CN109786266B ,2019-05-21

[3]

半导体封装件及其形成方法 [P].

张智强 ;

曾华伟 ;

林大玄 ;

吴伟诚 ;

叶德强 .

中国专利 :CN119517878A ,2025-02-25

[4]

半导体封装件及其形成方法 [P].

张丰愿 ;

黄博祥 ;

鲁立忠 ;

李志纯 ;

卢以谦 ;

陈又豪 ;

张克正 .

中国专利 :CN113658944B ,2025-03-25

[5]

半导体封装件及其形成方法 [P].

张丰愿 ;

黄博祥 ;

鲁立忠 ;

李志纯 ;

卢以谦 ;

陈又豪 ;

张克正 .

中国专利 :CN113658944A ,2021-11-16

[6]

半导体封装件及其形成方法 [P].

陈建勋 ;

吴俊毅 ;

李建勋 ;

刘重希 .

中国专利 :CN110581077A ,2019-12-17

[7]

半导体封装件及其形成方法 [P].

曾庭箴 ;

廖思豪 ;

胡毓祥 ;

郭宏瑞 .

中国专利 :CN115132672A ,2022-09-30

[8]

半导体封装件及其形成方法 [P].

吴集锡 ;

叶德强 ;

陈宪伟 ;

陈洁 .

中国专利 :CN107871718A ,2018-04-03

[9]

半导体封装组合件及其形成方法 [P].

李知宣 ;

孟凡烈 .

:CN121237753A ,2025-12-30

[10]

半导体封装件、封装件及其形成方法 [P].

吴俊毅 ;

余振华 ;

刘重希 .

中国专利 :CN112582365A ,2021-03-30

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