SOI工艺的静电保护结构及其构成的静电保护电路

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专利类型
发明
申请号
CN201410708903.5
申请日
2014-11-28
公开(公告)号
CN104465666B
公开(公告)日
2015-03-25
发明(设计)人
苏庆
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L2712
IPC分类号
H01L2702
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
丁纪铁
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种基于SOI工艺的静电保护器件及其构成的静电保护电路 [P]. 
单毅 ;
董业民 .
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[2]
静电保护电路 [P]. 
王钊 ;
尹航 ;
田文博 .
中国专利 :CN102280447B ,2011-12-14
[3]
静电保护电路以及带有静电保护电路的芯片 [P]. 
尹小平 ;
游剑 .
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[4]
SOI器件及其构成静电保护器件结构 [P]. 
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[5]
静电保护器件及静电保护电路 [P]. 
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应战 .
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[6]
静电保护器件及静电保护电路 [P]. 
许杞安 .
中国专利 :CN115706109A ,2023-02-17
[7]
静电保护器件及静电保护电路 [P]. 
许杞安 .
中国专利 :CN115706109B ,2025-11-14
[8]
静电保护器件和静电保护电路 [P]. 
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[9]
SOI工艺的静电保护结构 [P]. 
苏庆 .
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[10]
静电保护结构、静电保护电路、芯片 [P]. 
许杞安 .
中国专利 :CN114613767A ,2022-06-10