一种基于SOI工艺的静电保护器件及其构成的静电保护电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711194469.3

申请日：

2017-11-24

公开(公告)号：

CN108063133A

公开(公告)日：

2018-05-22

发明(设计)人：

单毅董业民

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

邓琪

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 27/02 申请公布日:20180522
2018-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20171124
2018-05-22	公开	公开

共 50 条

[1]

SOI工艺的静电保护结构及其构成的静电保护电路 [P].

苏庆 .

中国专利 :CN104465666B ,2015-03-25

[2]

静电保护器件及静电保护电路 [P].

李新 ;

应战 .

中国专利 :CN114121931A ,2022-03-01

[3]

静电保护器件及静电保护电路 [P].

许杞安 .

中国专利 :CN115706109A ,2023-02-17

[4]

静电保护器件及静电保护电路 [P].

许杞安 .

中国专利 :CN115706109B ,2025-11-14

[5]

静电保护器件和静电保护电路 [P].

森日出树 .

中国专利 :CN106663657B ,2017-05-10

[6]

SCR静电保护器件及静电保护电路 [P].

陈光 ;

李宏伟 .

中国专利 :CN108336082A ,2018-07-27

[7]

静电保护电路、静电保护器件及其形成方法 [P].

蒋昊 .

中国专利 :CN110797336B ,2020-02-14

[8]

SOI器件及其构成静电保护器件结构 [P].

苏庆 .

中国专利 :CN104332493A ,2015-02-04

[9]

一种基于SOI工艺的NMOS器件及其构成的静电保护电路 [P].

单毅 ;

董业民 .

中国专利 :CN108063134B ,2018-05-22

[10]

静电保护器件 [P].

苏庆 .

中国专利 :CN114242774B ,2025-05-02

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