外延晶片生长装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480064479.3

申请日：

2014-09-03

公开(公告)号：

CN105765113A

公开(公告)日：

2016-07-13

发明(设计)人：

姜侑振

申请人：

申请人地址：

韩国庆尚北道

IPC主分类号：

C30B2302

IPC分类号：

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

吕艳英;张颖玲

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-13	公开	公开
2019-10-15	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 23/02 申请公布日:20160713
2016-08-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101673497663 IPC(主分类):C30B 23/02 专利申请号:2014800644793 申请日:20140903

共 50 条

[1]

外延生长装置和外延生长方法 [P].

费璐 ;

林志鑫 ;

曹共柏 ;

王华杰 ;

董晨华 ;

季文明 .

中国专利 :CN110685009A ,2020-01-14

[2]

外延生长装置及外延晶片的制造方法 [P].

胡盛珀 ;

楢原和宏 .

日本专利 :CN114026273B ,2024-01-09

[3]

外延生长装置及外延晶片的制造方法 [P].

胡盛珀 ;

楢原和宏 .

中国专利 :CN114026273A ,2022-02-08

[4]

基座、气相生长装置、外延晶片的制造装置、外延晶片的制造方法和外延晶片 [P].

吉田知佐 ;

荒井刚 ;

秋山谦二 ;

大濑广树 .

中国专利 :CN100338734C ,2005-05-18

[5]

外延生长用硅晶片及外延晶片及其制造方法 [P].

星亮二 ;

园川 .

中国专利 :CN1668786A ,2005-09-14

[6]

基座、外延生长装置、外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片 [P].

楢原和宏 .

中国专利 :CN111295737A ,2020-06-16

[7]

外延生长装置和使用其的半导体外延晶片的制造方法 [P].

中村郁浩 ;

蛇川顺博 ;

南出由生 ;

宫崎裕司 .

中国专利 :CN110004487A ,2019-07-12

[8]

外延膜层的生长方法及外延膜层的生长装置 [P].

张磊 ;

董信国 ;

储郁冬 ;

贾超超 .

中国专利 :CN118685855A ,2024-09-24

[9]

外延生长用晶片载盘 [P].

徐志军 ;

谢祥彬 ;

刘兆 ;

吴洪浩 ;

程伟 ;

周宏敏 ;

张家宏 ;

卓昌正 ;

林兓兓 ;

谢翔麟 .

中国专利 :CN203947179U ,2014-11-19

[10]

气相生长装置及外延晶片的制造方法 [P].

吉冈翔平 .

中国专利 :CN110970343A ,2020-04-07

← 1 2 3 4 5 →