优化电流分布的嵌入式电极结构LED芯片

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201921028658.8

申请日：

2019-07-02

公开(公告)号：

CN210607305U

公开(公告)日：

2020-05-22

发明(设计)人：

李国强陈曦午谢卓良林志霆

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L3342 H01L3346 H01L3300

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

何淑珍;隆翔鹰

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-22	授权	授权

共 50 条

[1]

优化电流分布的嵌入式电极结构LED芯片及其制备方法 [P].

李国强 ;

陈曦午 ;

谢卓良 ;

林志霆 .

中国专利 :CN110265520A ,2019-09-20

[2]

优化电流扩散层的LED芯片结构 [P].

陈晓冰 .

中国专利 :CN214336734U ,2021-10-01

[3]

一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件 [P].

李国强 ;

姚书南 ;

柴华卿 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN214848665U ,2021-11-23

[4]

一种嵌入式LED芯片制备方法及嵌入式LED芯片 [P].

秦友林 ;

鲁洋 ;

张星星 ;

林潇雄 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117374178A ,2024-01-09

[5]

一种HEMT与嵌入式电极LED的混合集成器件 [P].

李国强 .

中国专利 :CN218274603U ,2023-01-10

[6]

一种嵌入式电极结构LED器件及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN112864292A ,2021-05-28

[7]

一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件及其方法 [P].

李国强 ;

姚书南 ;

柴华卿 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN112701200A ,2021-04-23

[8]

一种HEMT与嵌入式电极结构LED的单片集成器件及其方法 [P].

李国强 ;

姚书南 ;

柴华卿 ;

林志霆 ;

王文樑 .

中国专利 :CN112701200B ,2024-04-19

[9]

一种嵌入式LED芯片及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN112864291A ,2021-05-28

[10]

具有重叠电极的LED芯片结构 [P].

黄慧诗 ;

郭文平 ;

柯志杰 ;

邓群雄 ;

谢志坚 .

中国专利 :CN202487643U ,2012-10-10

← 1 2 3 4 5 →