微孔沉淀二氧化硅

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080019746.7

申请日：

2010-05-04

公开(公告)号：

CN102414127B

公开(公告)日：

2012-04-11

发明(设计)人：

T·A·奥克尔

申请人：

申请人地址：

美国俄亥俄州

IPC主分类号：

C01B3318

IPC分类号：

C01B33193 B60C100 C08K336

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

陈宙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-04-11	公开	公开
2012-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101250939424 IPC(主分类):C01B 33/18 专利申请号:2010800197467 申请日:20100504
2016-03-02	授权	授权

共 50 条

[1]

沉淀二氧化硅 [P].

R·瓦勒罗 .

中国专利 :CN102753479A ,2012-10-24

[2]

沉淀二氧化硅 [P].

G·特克 ;

G·施米特 ;

M·西雷 ;

K·迈耶 .

中国专利 :CN1148567A ,1997-04-30

[3]

沉淀二氧化硅 [P].

穆斯塔法·瑟拉伊 ;

约亨·舍夫勒 .

中国专利 :CN1231989A ,1999-10-20

[4]

沉淀二氧化硅 [P].

拉尔夫·劳施 ;

海因茨·埃施 ;

罗伯特·库尔曼 ;

冈特·蒂尔克 ;

卡尔·迈尔 ;

沃尔特·梅翁 .

中国专利 :CN1145330A ,1997-03-19

[5]

沉淀二氧化硅 [P].

Ｈ·埃施 ;

Ｕ·戈尔 ;

Ｒ·库尔曼 ;

Ｒ·劳施 .

中国专利 :CN1036990C ,1995-10-04

[6]

制备沉淀二氧化硅的方法、沉淀二氧化硅及其用途 [P].

G-G.林德纳 ;

Y.S.沈 .

中国专利 :CN102137813A ,2011-07-27

[7]

沉淀二氧化硅及其制造方法 [P].

C·费拉尔-马丁 ;

E·奥兰奈曼 ;

P·劳里奥尔-加尔贝 ;

T·绍赛 ;

L·居伊 .

法国专利 :CN118434682A ,2024-08-02

[8]

沉淀二氧化硅及其制造方法 [P].

C·费拉尔-马丁 ;

E·奥兰奈曼 ;

P·劳里奥尔-加尔贝 ;

T·绍赛 ;

L·居伊 .

中国专利 :CN118742514A ,2024-10-01

[9]

沉淀二氧化硅及其制造方法 [P].

F·科博-贾斯汀 ;

E·奥兰奈曼 ;

P·劳里尔-加比 .

中国专利 :CN112996750A ,2021-06-18

[10]

沉淀二氧化硅及其制造方法 [P].

C·费拉尔-马丁 ;

E·奥兰奈曼 ;

P·劳里奥尔-加尔贝 ;

T·绍赛 ;

L·居伊 .

法国专利 :CN118475539A ,2024-08-09

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