发明(设计)人:
G·特克
G·施米特
M·西雷
K·迈耶
法律状态
| 2002-09-18 |
专利权的终止未缴年费专利权终止
| 专利权的终止未缴年费专利权终止 |
| 2000-05-31 |
授权
| 授权 |
| 1997-07-30 |
实质审查请求的生效
| 实质审查请求的生效 |
| 1997-05-14 |
实质审查请求的生效
| 实质审查请求的生效 |
| 1997-04-30 |
公开
| 公开 |
共 50 条
[1]
沉淀二氧化硅
[P].
中国专利 :CN1145330A ,1997-03-19 [2]
沉淀二氧化硅
[P].
中国专利 :CN1036990C ,1995-10-04 [3]
沉淀二氧化硅
[P].
中国专利 :CN102753479A ,2012-10-24 [4]
沉淀二氧化硅
[P].
中国专利 :CN1231989A ,1999-10-20 [6]
沉淀的二氧化硅颗粒
[P].
中国专利 :CN1233586A ,1999-11-03 [7]
沉淀二氧化硅及其方法
[P].
F·A·辛克莱
论文数: 0 引用数: 0
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机构:
赢创运营有限公司
赢创运营有限公司
F·A·辛克莱
;
M·S·达尔斯洛
论文数: 0 引用数: 0
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机构:
赢创运营有限公司
赢创运营有限公司
M·S·达尔斯洛
;
K·W·加利斯
论文数: 0 引用数: 0
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机构:
赢创运营有限公司
赢创运营有限公司
K·W·加利斯
;
T·W·纳斯维拉
论文数: 0 引用数: 0
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机构:
赢创运营有限公司
赢创运营有限公司
T·W·纳斯维拉
;
E·G·伦德奎斯特
论文数: 0 引用数: 0
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机构:
赢创运营有限公司
赢创运营有限公司
E·G·伦德奎斯特
.
德国专利 :CN120187670A ,2025-06-20 [8]
微孔沉淀二氧化硅
[P].
中国专利 :CN102414127B ,2012-04-11