部分疏水性沉淀二氧化硅

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN97110221.X
申请日
1997-03-31
公开(公告)号
CN1167078A
公开(公告)日
1997-12-10
发明(设计)人
海因茨-京特·鲁克斯 卡尔·麦耶尔 阿斯特里德·米勒 罗尔夫·奥尔米勒 安贾·兰姆伯
申请人
申请人地址
联邦德国法兰克福
IPC主分类号
C01B3318
IPC分类号
A01N5900 B01D1904 A23K116
代理机构
永新专利商标代理有限公司
代理人
甘玲
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
沉淀二氧化硅 [P]. 
G·特克 ;
G·施米特 ;
M·西雷 ;
K·迈耶 .
中国专利 :CN1148567A ,1997-04-30
[2]
沉淀二氧化硅 [P]. 
R·瓦勒罗 .
中国专利 :CN102753479A ,2012-10-24
[3]
沉淀二氧化硅 [P]. 
穆斯塔法·瑟拉伊 ;
约亨·舍夫勒 .
中国专利 :CN1231989A ,1999-10-20
[4]
沉淀二氧化硅 [P]. 
拉尔夫·劳施 ;
海因茨·埃施 ;
罗伯特·库尔曼 ;
冈特·蒂尔克 ;
卡尔·迈尔 ;
沃尔特·梅翁 .
中国专利 :CN1145330A ,1997-03-19
[5]
沉淀二氧化硅 [P]. 
H·埃施 ;
U·戈尔 ;
R·库尔曼 ;
R·劳施 .
中国专利 :CN1036990C ,1995-10-04
[6]
沉淀的二氧化硅颗粒 [P]. 
穆斯塔法·瑟拉伊 ;
卡尔·迈尔 ;
罗尔夫·厄尔米勒 ;
维尔纳·纳格尔 ;
阿斯特丽德·米勒 .
中国专利 :CN1233586A ,1999-11-03
[7]
微孔沉淀二氧化硅 [P]. 
T·A·奥克尔 .
中国专利 :CN102414127B ,2012-04-11
[8]
制备沉淀二氧化硅的方法、沉淀二氧化硅及其用途 [P]. 
G-G.林德纳 ;
Y.S.沈 .
中国专利 :CN102137813A ,2011-07-27
[9]
沉淀二氧化硅制造方法 [P]. 
E.阿兰 .
中国专利 :CN104066683A ,2014-09-24
[10]
沉淀二氧化硅及其方法 [P]. 
F·A·辛克莱 ;
M·S·达尔斯洛 ;
K·W·加利斯 ;
T·W·纳斯维拉 ;
E·G·伦德奎斯特 .
德国专利 :CN120187670A ,2025-06-20