沉淀二氧化硅制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380006530.0

申请日：

2013-01-23

公开(公告)号：

CN104066683A

公开(公告)日：

2014-09-24

发明(设计)人：

E.阿兰

申请人：

申请人地址：

法国巴黎

IPC主分类号：

C01B33193

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

黄念;林森

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587755016 IPC(主分类):C01B 33/193 专利申请号:2013800065300 申请日:20130123
2014-09-24	公开	公开
2018-05-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B 33/193 申请公布日:20140924

共 50 条

[1]

沉淀二氧化硅制造方法 [P].

E.阿兰 ;

S.内沃 .

中国专利 :CN104080736A ,2014-10-01

[2]

沉淀二氧化硅 [P].

Ｈ·埃施 ;

Ｕ·戈尔 ;

Ｒ·库尔曼 ;

Ｒ·劳施 .

中国专利 :CN1036990C ,1995-10-04

[3]

沉淀二氧化硅及其方法 [P].

K·W·加利斯 ;

F·A·辛克莱 ;

T·W·纳斯维拉 ;

M·S·达尔斯洛 ;

E·G·伦德奎斯特 .

德国专利 :CN118765261A ,2024-10-11

[4]

制备沉淀二氧化硅的方法、沉淀二氧化硅及其用途 [P].

G-G.林德纳 ;

Y.S.沈 .

中国专利 :CN102137813A ,2011-07-27

[5]

沉淀二氧化硅 [P].

G·特克 ;

G·施米特 ;

M·西雷 ;

K·迈耶 .

中国专利 :CN1148567A ,1997-04-30

[6]

沉淀二氧化硅 [P].

R·瓦勒罗 .

中国专利 :CN102753479A ,2012-10-24

[7]

沉淀二氧化硅 [P].

穆斯塔法·瑟拉伊 ;

约亨·舍夫勒 .

中国专利 :CN1231989A ,1999-10-20

[8]

沉淀二氧化硅 [P].

拉尔夫·劳施 ;

海因茨·埃施 ;

罗伯特·库尔曼 ;

冈特·蒂尔克 ;

卡尔·迈尔 ;

沃尔特·梅翁 .

中国专利 :CN1145330A ,1997-03-19

[9]

沉淀二氧化硅及其方法 [P].

F·A·辛克莱 ;

M·S·达尔斯洛 ;

K·W·加利斯 ;

T·W·纳斯维拉 ;

E·G·伦德奎斯特 .

德国专利 :CN120187670A ,2025-06-20

[10]

沉淀二氧化硅制备方法 [P].

M·科劳因 ;

S·内沃 ;

J·拉茨诺克斯 .

中国专利 :CN106672986A ,2017-05-17

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